電荷秩序を示す分子性導体の核磁気共鳴に対する理論的研究

电荷有序分子导体的核磁共振理论研究

基本信息

批准号：
16038218
负责人：
吉岡英生
金额：
$ 1.34万
依托单位：
Nara Women's University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2004
资助国家：
日本
起止时间：
2004 至 2005
项目状态：
已结题

项目摘要

1.充填率1/4一次元分子性導体の電荷秩序状態におけるナイトシフトと核スピン緩和率ナイトシフトや核スピン緩和率の分裂が電荷秩序状態の実験的証拠と考えられ、またこれらの分裂幅から電荷不均一性が見積もられている。しかし、充填率1/4の場合にはその主張をサポートする理論的研究が行なわれていなかった。本研究では充填率1/4一次元拡張ハバード模型に対して平均場近似からのゆらぎをRPAで取り込んで純粋な電荷秩序状態におけるナイトシフトと核スピン緩和率を計算し、実際上記の主張が正しいことを示した。さらに、核磁気共鳴の実験から見積もられた電荷不均一性は実際の値よりも大きくなるという結果を得た。2.充填率1/4擬一次元分子性導体の電荷秩序形成に対する鎖間平均場からのアプローチこれまでの研究から、擬一次元分子性導体の電荷秩序現象を記述する最も簡単な理論的な模型は格子内斥力Uだけでなく最近接間斥力Vを有する一次元拡張ハバード摸型であることがわかっており、実際基底状態ではUとVが大きい領域で電荷秩序絶縁体状態が現れることが見出されている。しかしながら、厳密な一次元系では強い量子ゆらぎのために、その転移温度は絶対零度である。したがって、実験で観測されている有限温度での相転移を議論するためには、純粋な一次元だけでは不十分であり、鎖間結合による高次元性を考慮しなければいけない。本研究では鎖間結合として異なった鎖間の電子間相互作用を取り入れた。鎖間相互作用を平均場近似で取り扱い、その結果得られた有効一次元模型をボソン化法で取り扱った。その結果、有限温度での電荷秩序の出現の仕方にはU-V平面で三つの定性的に異なった領域に分けられることが見出された。

1。在电荷订购的状态下1/4维分子导体的电荷订购状态下的NIT偏移和NIT偏移以及核自旋弛豫率的分裂被认为是电荷订购状态的实验证据，并且电荷异质性是从这些分裂宽度中估算的。但是，在填充率为1/4的情况下，没有进行理论研究以支持该主张。在这项研究中，在RPA中以1/4的一维延长哈伯德模型在RPA中进行了来自平均场近似的波动，并计算了纯电荷订购状态的NIT移位和核自旋松弛率，这表明上述主张实际上是正确的。此外，我们发现，根据核磁共振实验估计的电荷异质性大于实际值。 2。形成1/4包装因子的形成方法的方法：从链间平均值中，先前的研究表明，描述伪一维分子导体的充电顺序现象的最简单的理论模型是一维的一维扩展类型的类型，不仅是内部的repullate Recluls usection usstration usection usection usection usect Interect repect repect Itect Itect and Itection It tocul and Itect and It toce and It toce and It toce and It of Dect and to an在具有较大U和V的地区，处于基态。但是，在严格的一维系统中，由于量子的强大波动，其过渡温度绝对为零。因此，为了讨论在实验中观察到的有限温度下的相变，仅纯一维是不够的，并且必须考虑由于链链键而引起的高维度。在这项研究中，将不同链之间的电子电子相互作用纳入了链链键。用平均场近似处理链相互作用，并使用琼脂化方法处理产生的有效一维模型。结果，发现在有限温度下电荷顺序的出现可以分为U-V平面中的三个定性区域。