10GPa級高圧力下、超強磁場下の有機伝導体の新物性

10 GPa级高压超强磁场下有机导体新物理性能

• 批准号: 15073220
• 负责人: 村田 惠三
• 金额: $ 47.04万
• 依托单位: Osaka City University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2003 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15073220/
• 关键词: 強相関電子系; 有機導体; 分子性固体; 低温物; 物性実験; 分子性個体

本研究では数GPa-10 GPa級の圧力域に重点を置き、磁場と組み合わせて有機物における物性開拓と統一理解を研究目標とした。紙面の都合で4つの成果に限る。1)κ-(Me-DH-TTP)_2AsF_6縮小□電子系で電子相関を増大させ金属-絶縁体転移における量子臨界点の議論を行った。κ型は結晶構造から2量体化していると思われるが、2量体エネルギーが他のκ型に比べて1/10で電荷移動も3/4充填の系と思われることから、絶縁相は電荷秩序と思われ、現在(2009年)でも未解決の興味深い問題点を残した。2)(TTM-TTP)I_3は1次元1/2充填Mott-Hubbard系であり、圧力による金属化を試みた。Mott絶縁体における鎖間相互作用の重要さの問題として、理論家の興味を引いた。3)杉本塩、pi-d相互作用に基づく新物性が期待できる擬二次元伝導体beta″-(EDO-TTFVO)_2 FeCl_4において、T<3K, H>8Tで磁場誘起相転移を発見し、H>17Tではシュブニコフ-ドハース振動の観測に成功した。□-d系有機伝導体(EDT-DSDTFVSDS)_2FeBr_4のスピンフロップに伴う磁気抵抗の巨大異常とGaBr_4塩の物性との比較による□-d相互作用を詳細に調べることができた。4)TTF-TCNQとTSeF-TCNQの温度圧力相図の作成と物性測定を行った。TTF-TCNQの電荷密度波の研究では30年前の3GPaまでの測定を再現した。今回、8GPaまでの研究をすすめ、電荷移動に伴うCDWが圧力とともに不整合=>整合=>不整合と変遷して低温までの金属化していく様子が明瞭に示された。さらに、類型のTSeF-TCNQについての研究を進め、TTF-TCNQより低い圧力で、金属化に成功した。電気抵抗の温度の冪の圧力変化から揺らぎ伝導の特異な性質が明らかになった。

在这项研究中，重点是几个GPA-10 GPA级的压力范围，并与磁场结合在一起，研究目标是在有机物中发展物理性质和统一性。由于纸张原因，限制了四个结果。 1）κ-（ME-DH-TTP）_2ASF_6降低了电子系统中电子相关性的增加，并讨论了金属构成清晰度的量子临界点。 κ类型似乎是从晶体结构中量化的，但是与其他κ类型相比，2量化的能量被认为是1/10，并且电荷转移填充了3/4，因此它似乎是一个绝缘阶段。收费顺序，甚至现在（2009年）留下了一个有趣的问题。 2）（TTM-TTP）I_3是一维1/2填充Mott-Hubbard系统，我们试图通过压力制造金属。理论家对座右铭绝缘体中链相互作用的重要性感兴趣。 3）sugimoto盐，pi-d，伪两维导体beta'''''（edo-ttfvo）_2 fecl_4，可以预期基于相互作用具有新角色，发现了磁场诱导的磁场诱导的相位过渡3K，h> 8T。清楚地表明，伴随电荷转移的CDW不愉快=>一致=>。 -tcnq。

项目成果

電子材料ハンドブック

电子材料手册

• 发表时间: 2006
• 作者: Sato;T.;et al.;佐藤尚志 他;大西恭子 他;Sun Young Kim et al.;佐藤尚志 他;西岡 求 他;L.J.Diguna;Q.Shen;Q.Shen;Q.Shen;H.Nakajima;T.Toyoda;T.Toyoda;Q.Shen;L.J.Diguna;T.Toyoda;T.Toyoda;豊田 太郎(編集・共著)
• 通讯作者: 豊田 太郎(編集・共著)

Shubnikov-de Haas Oscillations and Field-Induced Anomaly in an Organic Conductorβ"-(EDO-TTFVO)_2FeCl_4

有机导体中的 Shubnikov-de Haas 振荡和场致异常β"-(EDO-TTFVO)_2FeCl_4

• 发表时间: 2007
• 期刊: J. Magn. Magn. Mater 310
• 作者: M. Teramura;S. Yasuzuka;H. Yoshino. K. Yokogawa;T. Sasaki;H. Fujiwara;T. Sugimoto;T. Hiraoka;T. Hayashi;K. Murata
• 通讯作者: K. Murata

加圧による(DI-DCNQI)2Agの電荷秩序と磁気秩序

(DI-DCNQI)2Ag在压力下的电荷顺序和磁顺序

• 发表时间: 2003
• 作者: 伊藤哲明;鹿野田一司;開康一;高橋利宏;横川敬一;村田恵三;松本武彦
• 通讯作者: 松本武彦

High Pressure Properties of tau-type Conductor up to 8 GPa

tau 型导体的高压特性高达 8 GPa

• 发表时间: 2007
• 作者: T. Nakanishi;S. Arumugam;H. Yoshino;G. A. Anifantis;G. C. Papavassiliou;K. Murata
• 通讯作者: K. Murata

Negative Magnetoresistance of (ED0-TTFVO)2X (X =GaBr4, FeBr4)

(ED0-TTFVO)2X (X = GaBr4, FeBr4) 的负磁阻

• 发表时间: 2005
• 作者: Keiichi Yokogawa;Masayasu Teramura;Syuma Yasuzuka;Kenii Wada;Takashi Hiraoka;Toshiki Hayashi;Hideki Fujiwara;Toyonari Sugimoto;Keizo Murata
• 通讯作者: Keizo Murata