充填スクッテルダイト化合物の重い電子状態の解明

填充方钴矿化合物的重电子态的阐明

• 批准号: 15072204
• 负责人: 播磨 尚朝
• 金额: $ 100.99万
• 依托单位: Kobe University (2004-2007)Osaka University (2003)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2003 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15072204/
• 关键词: スクッテルダイト; フェルミ面; 多極子; 超伝導; NMR; NQR; 結晶場分裂; 価数揺動状態; 光反射率; 金属・絶縁体転移; 価数揺動; 電磁勾配; 超伝導体; 赤外反射スペクトル; 非フェルミ液体; 電場勾配; デハース・ファンアルフェン効果; 近藤共鳴; スピン密度波; 光学伝導度; 重い電子系; ドハース・ファンアルフェン効果; 金属絶縁体転移; ネスティング; スクッテルダイト; フェルミ面; 多極子; 超伝導; NMR; NQR; 結晶場分裂; 価数揺動状態; 光反射率; 金属・絶縁体転移; 価数揺動; 電磁勾配; 超伝導体; 赤外反射スペクトル; 非フェルミ液体; 電場勾配; デハース・ファンアルフェン効果; 近藤共鳴; スピン密度波; 光学伝導度; 重い電子系; ドハース・ファンアルフェン効果; 金属絶縁体転移; ネスティング

(電子状態計算)LaOS_4P_12のフェルミ面を明らかにし、ネスティング条件を議論した。(dHvAと高磁場)ROs_4P_l2(R=La,Ce,Pr,Nd,Sm)とEuRu_4Sb_12の単結晶育成に成功し、dHvA測定を行った。PrOs_4P_12のフェルミ面はLaOs_4P_12と類似しており18m_0の重いサイクロトロン有効質量を観測し、LaOs_4P_12に比べ4倍ほど重くなっている。EuRu_4Sb_12においてdHvAを観測し、フェルミ面の形状からEuの価数は2価であると推測した。(NMR/NQR)PrOs_4Sb_12の超伝導状態および結晶場分裂をP=3.82GPaまでの高圧下NMRによつて調べた。また、YbFe_4Sb_12の緩和時間測定(100K以下)で見られる異常に関して、価数変化とラットリングの観点から議論を行った。(光電子分光)重い電子系的な振る舞いを示すSmOs_4Sb_12は、電子状態の基本的な知見が不足してが、Smが2価と3価の間の価数揺動状態にあること、平均価数が温度変化すること、フェルミ準位付近に大きなSm4f部分状態密度が有ることを明らかにした。(高圧測定)高圧下の比熱測定技術を整備し、電気抵抗測定との同時測定を可能にした。結晶構造解析等によって、PrRu_4P_l2の高次の多極子秩序および超高圧下の物性変化について系統的に研究した。(赤外分光)・CeRu_4As_12を常温でCeOs_4As_12を室温から3.3 Kの温度範囲で光反射率の測定を行った。いずれも0.leV程度のエネルギーギャップを有する半導体であることを明らかとした。

（电子状态计算）揭示了老挝4p_12的费米表面，并讨论了嵌套条件。 （DHVA和高磁场）ROS_4P_L2的单晶生长（r = la，ce，pr，nd，sm）和euru_4sb_12成功地进行了，并测量了DHVA。 Pros_4p_12的费米表面与老挝4P_12相似，并且观察到了重型的有效质量为18M_0，使其比老挝4P_12重约四倍。在EURU_4SB_12中观察到DHVA，据估计，欧盟的价是基于费米表面的形状的二价。 （NMR/NQR）在高压下，NMR研究了PROS_4SB_12的超导状态和晶体场分裂。此外，讨论了YBFE_4SB_12的放松时间测量（低于100K）中观察到的异常情况，以价变化和大鼠环的角度进行了讨论。 （光电子光谱）SMOS_4SB_12表现出重度，基于电子的行为，表明，尽管缺乏对电子状态的基本知识，但SM处于平均价和三价之间的价波动状态，即平均价值变化，并且在Fermi层面附近有一个大的SM4F部分状态。 （高压测量值）我们开发了用于测量高压下特定热量的技术，使得可以通过电阻测量同时测量。通过晶体结构分析等，系统地研究了PRRU_4P_L2的高阶多极阶和在超高压力下的物理性质的变化。 （红外光谱） - 在室温下用CERU_4AS_12在室温和CEOS_4AS_12在3.3 K的室温下测量光反射率。显示两个半导体的能量间隙均具有约0.LEV。