Semiconductor Nanospintronics

半导体纳米自旋电子学

基本信息

  • 批准号:
    14076103
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 23.1万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    2002
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2002 至 2006
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本領域が主催するオープンな国際会議「半導体中のスピンが関連する現象とその応用に関する国際会議」(会議議長:宗片)(英語名:Intrn'l Conf.Phys.Appl.Spin-Related Phenomena in Semiconductors ; PASPS)を、2006年8月15日から18日の4日間、仙台市国際センターで実施した。本研究領域が中心となって得られた研究成果を世界に発信するとともに、物性物理学や電子工学において重要な研究分野と国際的に認知されつつあるスピントロニクスにおけるわが国の先導的な立場をあらためて強固にしつつ、世界の理工学に貢献した。半導体中のスピン関連現象は、様々な構造において異なる形で現れる。それらは、非磁性半導体や磁性半導体あるいは関連のナノ構造におけるスピンと電荷の間の相互作用であり、電荷移動を伴わないスピンの伝播や蓄積、ホール効果、局在・非局在キャリア系におけるスピン位相の保存と破壊など、スピンを活用する素子の実現にとって極めて重要な問題を多く含んでいる。本会議では、これらを解き明かすべき共通の諸問題と位置づけた上で、スピン依存光学遷移、スピン依存電気伝導、スピン制御と位相、同位体スピン、スピントロニクス材料とその理論、スピン電子デバイス・スピン光デバイスとその応用、量子情報処理におけるスピン、などに関する最先端の研究成果144件を、19カ国から201名の参加者を得て検討した。会議録は学術雑誌physica status solidi(c)から出版された。さらに、2006年12月14,15日には「半導体スピン工学」研究会を東大・物性研究所で開催し、わが国における半導体スピントロニクス研究の基盤の更なる強化と本領域の今後の発展について、現状と展望を交えて検討した。
本领域主办的一个公开国际会议,《半导体中自旋相关现象及其应用国际会议》(会议主席:Munekata)(英文名称:Intrn'l Conf.Phys.Appl.Spin-Related Phenomena in Semiconductors ; PASPS)于2006年8月15日至18日在仙台市国际中心举行,为期四天。除了向世界传播通过该研究领域获得的研究成果之外,我们还将再次巩固日本在自旋电子学方面的领先地位,自旋电子学正在成为国际公认的凝聚态物理和电子工程的重要研究领域。为世界各地的科学和工程做出了贡献。半导体中的自旋相关现象在不同结构中表现不同。这些是非磁性半导体、磁性半导体或相关纳米结构中自旋和电荷之间的相互作用,包括无电荷转移的自旋传播和积累、霍尔效应以及局域和离域载流子系统中的自旋,其中涉及许多对于半导体极其重要的问题。实现利用自旋的装置,例如相位的保存和破坏。在本次会议中,我们将把这些问题作为需要解决的共同问题来讨论,包括自旋相关的光学跃迁、自旋相关的电传导、自旋控制和相位、同位素自旋、自旋电子材料及其理论、自旋电子器件和来自19个国家的201名与会者审查了有关自旋及其应用、自旋在量子信息处理等方面的144项前沿研究成果。该论文集由学术期刊 Physica Status Solidi(c) 发表。此外,2006年12月14日至15日,“半导体自旋工程”研究小组在东京大学固体物理研究所召开,讨论了日本进一步加强半导体自旋电子学研究基础的现状以及这个领域未来的发展。

项目成果

期刊论文数量(145)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Fano resonance in a quantum wire with a side-coupled quantum dot
  • DOI:
    10.1103/physrevb.70.035319
  • 发表时间:
    2004-07-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    Kobayashi, K;Aikawa, H;Iye, Y
  • 通讯作者:
    Iye, Y
R.Moriya, H.Munekata: "Relation among concentrations of incorporated Mn atoms, ionized Mn acceptors, and holes in p-(Ga, Mn)As epilayers"Journal of Applied Physics. 93,April. 7 (2003)
R.Moriya、H.Munekata:“掺入的 Mn 原子、电离 Mn 受体和 p-(Ga, Mn)As 外延层中的空穴的浓度之间的关系”应用物理学杂志。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Light-driven microcantilever actuator based on photoenhanced magnetization in a GaAs-Fe composite film
基于 GaAs-Fe 复合薄膜光增强磁化的光驱动微悬臂梁致动器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2003
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T.Shinshi;H.Munekata;et al.
  • 通讯作者:
    et al.
Growth and characterization of ~<28>Sin/~<30>Sin isotope superlattices
~<28>Sin/~<30>Sin同位素超晶格的生长和表征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2003
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T.Kojima;K.M.Itoh;Y.Shiraki
  • 通讯作者:
    Y.Shiraki
Spintronics : recent progress and tomorrow's challenges
  • DOI:
    10.1016/j.jcrysgro.2004.12.078
  • 发表时间:
    2005-05
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.8
  • 作者:
    Masaaki Tanaka
  • 通讯作者:
    Masaaki Tanaka
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作者:{{ showInfoDetail.author }}

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