強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用

铁电薄膜物理性质的控制及其在下一代存储器件中的应用

• 批准号: 12134204
• 负责人: 奥山 雅則
• 金额: $ 11.14万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2004
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2004 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-12134204/
• 关键词: 希土類ドープ; MIFS-FET; リラクサ強誘電体; ドメイン構造観察; ケミカル・プロセッシング; MFIS(MFS)構造; 走査型非線形誘電率顕微鏡; 強誘電体・半導体接合; MFIS-FET; ケミカルプロセッシング; マルテンサイト型合金; 低温プロセス; 2次相転移点; PZT; 低温プロセッシング; モルフォトロピック相境界; 濃度相境界; 化学溶液プロセス; 新強誘電体探索; 成長初期過程; ペロブスカイト酸化物トラシジスタ; 希土類ドープ; MIFS-FET; リラクサ強誘電体; ドメイン構造観察; ケミカル・プロセッシング; MFIS(MFS)構造; 走査型非線形誘電率顕微鏡; 強誘電体・半導体接合; MFIS-FET; ケミカルプロセッシング; マルテンサイト型合金; 低温プロセス; 2次相転移点; PZT; 低温プロセッシング; モルフォトロピック相境界; 濃度相境界; 化学溶液プロセス; 新強誘電体探索; 成長初期過程; ペロブスカイト酸化物トラシジスタ

今日、高度化されまた今後も拡大化の続く情報化社会を支えるのがまさにコンピュータと通信機器であるが、特に記憶を司るメモリデバイスが非常に重要である。この半導体メモリの中で電源を切っても忘れない不揮発性メモリとして強誘電体メモリ(FeRAM)があり、その研究開発が進められている。しかし、強誘電体薄膜を信頼性の高いメモリデバイスに応用するには、多くの問題点が存在する。高集積化に伴う超微細化によって数十nmの厚さの強誘電体薄膜における分極反転の反復による強誘電性の劣化、分極履歴のシフト、分極の時間的劣化、絶縁性の劣化などである。これらの問題点は、微細な強誘電体薄膜の特性評価をし、薄膜作製法の改良と最適化で克服されようと多くの努力が払われているが、表面的改良ではなく、強誘電体ならびにその薄膜に起こる現象を根本的に理解し、種々の物性や素子特性を根本的に解明、制御する必要がある。本領域研究では薄膜での強誘電性の基本的要因を明確にし、これらを薄膜特有の現象や物性と絡み合わせながら、実験的に起こる様々な問題点を解決し、次世代強誘電体メモリデバイスの実用化をはかるべく、基礎的な性質を検討してきた。そこで、これらの成果を取りまとめ、平成12年度から15年度までの本領域の研究成果を広く公開するために、以下のような公開シンポジウムを開催した。さらに、成果を取りまとめ、英文単行本にまとめSpringerより出版した。公開シンポジウム「強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用」成果報告会(公開)日時 平成16年12月10、11日場所 大阪大学中之島センター出席者 専門家など30名講演件数 14および研究評価英文単行本題目 「Ferroelectric Thin Films-Basic Properties and Device Physics for Memory Applications-」総ページ数 258

如今，计算机和通信设备的确是支持越来越复杂并继续扩展的信息社会的真正原因，但是控制记忆的内存设备尤为重要。铁电内存（FERAM）是一种非易失性内存，即使关闭电源，也永远不会忘记，并且正在进行此记忆的研究和开发。但是，将铁电薄膜应用于高度可靠的记忆设备存在许多问题。由于整合的超细胞增加，由于在铁电薄膜中反复反转的反演，铁电性降解，其厚度为几十nm，偏振病史转移，极化的时间恶化和绝缘层。尽管已经通过评估精细铁电薄膜的特征并改善和优化薄膜制造方法来克服这些问题，但有必要从根本上了解铁电和薄膜中发生的现象，并从根本上澄清和控制各种物理特性和设备特性。在这项现场研究中，我们阐明了薄膜中铁电性的基本因素，与薄膜所特有的现象和物理特性交织在一起，并检查了基本特性，以解决各种实验问题并实施下一代铁电向记忆设备的实际应用。因此，为了汇编这些结果并在2000年至2003年间广泛披露了该领域的研究结果，举行了以下公开研讨会：此外，施普林格（Springer）在英语书中汇编并发表了结果。公开研讨会“物理特性控制铁电薄膜及其在下一代记忆设备上的应用”结果报告会议（出版）日期和时间，日期和时间，2004年12月10日和11日，位置：30个专家和其他参与者的讲座数量：14和研究评估英语教科书：