ウィグナー結晶のトンネル現象

维格纳晶体中的隧道现象

基本信息

批准号：
09226206
负责人：
河野公俊
金额：
$ 1.02万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09226206/
关键词：
液体ヘリウム3 薄膜超流動第3音波 2次元量子液体

项目摘要

本年度は、以下の事項について研究を行った。1.水素膜の作成この実験を行う上で希釈冷凍機を用いて測定を行うことが必須である。ところで、希釈冷凍機では構造的に水素膜を形成することが容易ではない。今年度我々のグループでは様々な方法を試みた結果、その実現方法に目処がついたものと考えている。通常室温部から低温部に何かを導入する場合、その導入経路は各温度点で確実に熱流入を吸収するアンカーという処置を行う。このようにすると、水素を導入する際に水素がいずれかのアンカー点で固化してしまいうまくない。これを防止する唯一の方法は導入管を十分に長くとることである。このことを突き止めた上で我々はヘリウム3冷凍機を用いた予備的な実験を行い、水素膜の作成に成功した。2.ヘリウム膜上2次元電子系上記の成果に基づいて我々は2次元電子の伝導による信号が観測されるほどに平坦な水素膜を作成し、その上にヘリウムが吸着した状態において2次元電子系の伝導度測定を行った。その結果は過去に得られた結果とおおよそ一致することが分かった。3.今後の展望今後さらに水素膜の作成技術をみがき、難易度の高い希釈冷凍機での実験を行う。また、伝導度だけでなくトンネル現象と直接関連した逸出率の測定を行うべく努力を続ける。

今年，我们主要开展了以下几方面的研究。 1.制作氢膜在进行本实验时，必须使用稀释制冷机进行测量。顺便提及，在稀释制冷机中形成氢膜在结构上是困难的。今年我们组尝试了各种方法，相信已经找到了实现这一目标的方法。通常，当将某物从室温部分引入到低温部分时，引入路径采用能够可靠地吸收每个温度点流入的热量的锚固件进行处理。如果这样做，当引入氢气时，氢气将在其中一个锚定点处凝固，这不是一个好主意。防止这种情况的唯一方法是使引入管足够长。发现这一点后，我们使用氦3制冷机进行了初步实验，并成功制造了氢膜。 2. 氦膜上的二维电子系统根据上述结果，我们创建了一个非常平坦的氢膜，可以观察到二维电子传导产生的信号，当氦吸附在其上时，二维电子系统电子测量系统的电导率。结果发现与过去获得的结果大致一致。 3. 未来展望未来，我们将进一步完善氢膜制造技术，并使用高难度的稀释制冷机进行实验。此外，我们将继续努力，不仅测量电导率，还测量与隧道现象直接相关的逃逸率。