分子性導体の設計と構築
分子导体的设计与构建
基本信息
- 批准号:06243105
- 负责人:
- 金额:$ 108.86万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1994
- 资助国家:日本
- 起止时间:1994 至 1996
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究は以下の三つに分類でき、平成7年度に次のような面白い成果を見た。1.分子性導体成分の設計・合成と電荷移動錯体の作成:シクロファン型構造を持つBEDT-TTF誘導体、ピリヂル置換DCNQI誘導体、ラジアレン型分子、チオフェン型分子、セレノフェン型分子、ハロゲン置換TTF誘導体、新規ヘテロTCNQ、多TTF置換ベンゼン、対称DDQ、ビイミダゾール誘導体などのドナーまたはアクセプター分子を合成した。これら及び前年度に合成した成分分子より、金属的電荷移動錯体を合計144種類、他に、単結晶としては得られない粉末結晶の加圧成形ペレットで高い伝導性(0.1Scm^<-1>以上)を示す錯体を合計136種開発した。2.分子性導体の構築とその構造・物性研究:新しい分子性超伝導体として、EDT-TTF[Ni(dmit)_2](Tc=1.3K),λ-(BEDT-TSF)_2(GaBr_xCl_y or GaCl_3F)(Tc=7〜8K,3.5K),(DTEDT)_3[Au(CN)_2](Tc=4K)、OMTTF・C_<60>・benzene-K(Tc=18K),OMTTF・C_<60>・benzene-Rb(Tc=25.9K),BEDO-TTF・C_<60>-K(Tc=14.8K)を開発し、それらの結晶構造、電子構造を研究した。遍歴電子と局在スピンが異なるサイトに存在し競合している系として、λ-(BEDT-TSF)_2FeCl_4を開発し、その結晶構造、磁性を詳細に研究した。band-filling制御によるMott絶縁体から超伝導体化への例としてκ-(BEDT-TTF)_2Cu_2(CN)_3を発見した。また、前年度から含め低温x線構造解析装置が3グループで完成し、超伝導相の結晶構造や電子状態についての具体的議論が可能となった。3.分子配向制御による分子性機能膜の作成と物性・構造研究:KCl及びKBr上への選択成長を利用したVO-フタロシアニン薄膜の微細パタ-ニング手法を開発した。電解単結晶育成に関して制御電流法を開発し、極めて良質の超伝導体単結晶育成に成功した。前年度に開発した金属的LB膜BEDO-TTF・C_<10>TCNQ・アラキン酸の伝導性、磁性を詳細に研究した。また、BEDO-TTF・(MeO)_2TCNQ・アラキン酸で、より低温まで金属的なLB膜を開発した。
This research can be classified into three categories: and in 1995 we found the following interesting results: 1. Design and synthesis of molecular conductor components and creation of charge transfer complexes: Donor or acceptor molecules such as BEDT-TTF derivatives with cyclophane-type structures, pyridyl-substituted DCNQI derivatives, radialene-type molecules, thiophene-type已经合成了分子,硒类型分子,卤素取代的TTF衍生物,新型的杂环,多TTF取代的苯,对称DDQ和生物咪唑衍生物。从这些和上一年合成的分子分子中,我们使用无法作为单晶粉的粉状晶体的压力形成的粉状颗粒开发了136种类型的金属电荷转移复合物,总共具有136种类型的复合物(0.1 SCM^<-1>或更多)。 2。分子导体及其结构和物理特性的构建:我们开发了新的分子超导体:EDT-TTF [ni(dMIT)_2](tc = 1.3k),λ-(bedtt-tsf)_2(gabr_xcl_y或gabr_xcl_y或gacl_3f)或gacl_3f) (TC = 4K),OMTTF c_ <60> anzene-k(tc = 18k),Omttf・C_ <60> anzene-anzene-rb(tc = 25.9k),bedo-ttf・C_ <60> -K(TC = 14.8k)和它们的结构和电子结构和电子结构和电子结构和电子结构进行了研究。 λ-(bedt-tsf)_2fecl_4是作为一个系统开发的,其中默里达电子和局部旋转存在于不同的地点并竞争,并且详细研究了其晶体结构和磁性。我们发现κ-(bedt-ttf)_2CU_2(CN)_3是通过填充控制控制器对莫特绝缘子超导的一个例子。此外,三组已经完成了包括上一年在内的低温X射线结构分析设备,允许对超导阶段的晶体结构和电子状态进行具体讨论。 3。通过控制分子方向和物理特性和结构研究来制备分子功能膜:我们已经使用KCL和KBR上的选择性生长开发了一种精细的模式化方法,以用于Vo-phthalocyanine薄膜。开发了一种用于电解单晶生长的受控电流方法,并能够成功发展出极高的超导体单晶。我们已经研究了金属LB膜Bedo-TTF,C_ <10> TCNQ和花环酸的电导率和磁性。我们还使用Bedo-TTF,(MEO)_2TCNQ和香气酸开发了一种金属LB膜到较低的温度。
项目成果
期刊论文数量(28)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
G.Saito: "Preparation and Ionicity of C_<60> Charge Transfer Complexes" Synthetic Metals. 64. 359-368 (1994)
G.Saito:“C_<60>电荷转移配合物的制备和离子性”合成金属。
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