電気化学的手法による高機能磁性薄膜材料の創製

使用电化学方法创建高功能磁性薄膜材料

基本信息

批准号：
03205113
负责人：
逢坂哲彌
金额：
$ 0.96万
依托单位：
Waseda University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、電気化学的薄膜作製法、特に無電解めっき法による高密度磁気記録媒体材料および軟磁性薄膜材料の膜特性・微細構造および膜生成過程の相関性の検討より、生産性に優れた本手法を用いて機能性薄膜材料を創製する際の基礎的材料設計指針を得ることを目的とした。以下に本年度の検討より得られた成果の概要を示す。1.高密度磁気記録媒体高密度磁気記録媒体薄膜として、垂直磁気異方性を有する無電解CoNiReP合金薄膜を開発してきたが、本研究では従来は面内磁気記録媒体に用いられていたCoNiP三元系薄膜の成膜条件の最適化により、垂直異方性を有する膜の作製が可能であると共に、その保磁力は、浴因子の調整により1500Oe程度まで連続的に制御可能であることを明らかにした。また、いずれの保磁力の膜も折出初期に20nm厚程度の低保磁力領域を有し、このような領域が下地層として働く結果、単層媒体でも良好な記録再生特性を得られることを明らかにした。2.軟磁性薄膜材料前項の磁気記録媒体に関する検討より得られた知見を基に、無電解めっき法による軟磁性薄膜材料作製について検討した結果、ジメチルアミンボラン(DMAB)を還元剤に用いた無電解CoB系浴において、複合錯化剤系を最適化することにより、成膜時より良好な軟磁気特性を有する薄膜が得られることを明らかにした。このCoB膜は面内方向に磁気異方性を示したが、成膜時に外部磁界を印加することにより、この異方性を印加磁界方向に誘導可能であると共に、軟磁気特性も改善されることを確認した。さらにCoB二元系にFeを添加することにより、特に透磁率が大きく向上することを確認し、本手法が軟磁性薄膜作製手法としても高いポテンシャルを有することを明らかにした。

这项研究旨在通过研究膜性能，精细结构和膜形成过程，使用电磁培养基中的材料和软磁性薄膜材料，使用电化学薄膜制造方法，尤其是电气板，使用这种方法来获取用于创建功能性薄膜材料的基本材料设计指南。以下是从今年的研究中获得的结果概述。 1。高密度磁记录培养基一种高密度磁记录培养基薄膜已开发为高密度磁记录培养基薄膜。在这项研究中，揭示了通过优化以前在平面磁性记录介质中使用的膜形成条件的膜形成条件，可以通过调整浴缸因子调节薄膜的垂直力，并且可以连续控制膜的强制性，并可以连续控制膜的强制性。还可以揭示，两种强制膜在挠度开始时具有低强制力区域，约为20 nm厚，并且由于具有基础层的此类区域，即使使用单层介质，也可以获得良好的记录和繁殖特性。 2。基于从上一节中从磁性记录介质的研究中获得的发现，我们研究了通过电镀的软磁性薄膜材料的制备，并发现，通过使用二甲基胺（DMAB）优化电气芯浴中的络合剂系统（DMAB）在薄膜中，将薄膜与薄膜相比，与摄影效果更好。尽管COB膜在面内方向上表现出磁各向异性，但可以证实，通过在膜形成过程中施加外部磁场，可以在施加的磁场的方向上诱导这种各向异性，并且也可以改善软磁性特性。此外，已经证实，在COB二元系统中添加Fe特别提高了渗透率，并且该方法具有很高的潜力作为制造软磁性薄膜的方法。