構造敏感性をもつ半導体薄膜の歪分布マルチスケール可視化新手法の開発

开发结构敏感半导体薄膜中应变分布多尺度可视化的新方法

基本信息

  • 批准号：
    23K04599
  • 负责人：
    山中 淳二
  • 金额：
    $ 2.91万
  • 依托单位：
    University of Yamanashi
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2023
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2023-04-01 至 2026-03-31
  • 项目状态：
    未结题

项目摘要

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项目成果

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数据更新时间：2024-06-01

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  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    藤澤 泰輔;各川 敦史;堀内 未希;坂田 千尋;山中 淳二;原 康祐;澤野 憲太郎;中川 清和;有元 圭介
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  • 通讯作者：
    有元 圭介
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NBD 回折円盤からの SiGe 面間隔測定における収束レンズ条件の影響
会聚透镜条件对 NBD 衍射盘 SiGe 面间距测量的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    古屋 丞司;有元 圭介;小國 琢弥;原 康祐;山中 淳二
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  • 通讯作者：
    山中 淳二
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真空蒸着でのBaSi2成膜における基板加熱条件の影響
衬底加热条件对真空蒸镀BaSi2薄膜形成的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    矢澤 大典;原 康祐;山中 淳二;有元 圭介
    矢澤 大典;原 康祐;山中 淳二;有元 圭介
  • 通讯作者：
    有元 圭介
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単一原料の蒸着によるa-Si/BaSi2積層構造の作製
单一原料气相沉积制备a-Si/BaSi2叠层结构
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    原 康祐;Trinh Cham Thi;黒川 康良;有元 圭介;山中 淳二;中川 清和;宇佐美 徳隆
    原 康祐;Trinh Cham Thi;黒川 康良;有元 圭介;山中 淳二;中川 清和;宇佐美 徳隆
  • 通讯作者：
    宇佐美 徳隆
    宇佐美 徳隆
二段階成長法を用いたSi(110)基板上Ge層の作製と評価
Si(110)衬底上Ge层的两步生长法制备与评价
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    大木 健司;有元 圭介;山中 淳二;中川 清和;澤野 憲太郎
    大木 健司;有元 圭介;山中 淳二;中川 清和;澤野 憲太郎
  • 通讯作者：
    澤野 憲太郎
    澤野 憲太郎
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  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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