スピン制御超構造を応用した半導体光集積回路の研究

应用自旋控制上层结构的半导体光集成电路研究

基本信息

批准号：
09244206
负责人：
中野義昭
金额：
$ 2.11万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

1.発振波長トリミング:カルコゲナイドガラスの光誘起屈折率変化を利用したDFBレーザの波長トリミングを試み,レーザ活性層直近に同ガラスを装荷する新しい構造を開発して,He‐Neレーザ照射により1.55μm帯で0.14nmの波長トリミングを実現した.次に、量子井戸の光吸収誘起無秩序化を利用した波長トリミングを試み,YAGレーザ照射によって0.36nmの可変幅を得た.現在,スピン制御半導体超構造を応用した波長トリミング技術の研究を行っている.2.スピン制御半導体導波路における磁気光学効果の解析:スピン制御半導体の多層構造からなる導波路における光波の伝搬を,摂動固有モード理論によって解析し,TEモードとTMモードが磁化を介して結合する際の,結合波方程式の表式を得た.結合波方程式の解としての固有モードは,右円偏光と左円偏光となり,これらの屈折率が異なることから,偏光面が回転するいわゆる「ファラデー効果」の得られることが分かった.3.GaMnAsの光物性:希薄磁性半導体であるGaMnAsの光デバイス応用を目指して,その光物性を測定評価した.まずその屈折率,吸収係数の波長依存性を,分光エリプソメトリを利用して測定した.その結果,GaMnAsはGaAsと類似の特性を有するが,全体的に波長依存性が緩慢になり,またバンドギャップも不鮮明になることが分かった.次に,試料から基板を除去して,光透過特性を測定した.さらに同試料におけるファラデー回転を測定し,2キロガウスの磁場で偏光が実際に回転することを確認した.また,GaMnAsをコア,AlGaAsをクラッドとするスラブ導波路構造において,波長1.55μm光の導波に成功した.

1。振荡波长修剪：我们尝试使用光诱导的辣椒剂玻璃的折光指数变化来修剪DFB激光器，并开发了一种新结构，在该结构中，在活性激光层附近加载玻璃，并实现1.55μmband band band band band bander bander-ne-ne-ne laserradiation。接下来，我们尝试使用量子井的光吸收诱导的疾病来修剪波长，并通过YAG激光照射可变0.36 nm。我们已经获得了宽度。我们目前正在使用自旋控制的半导体上层建筑研究研究波长修剪技术2。分析自旋控制的半导体波导中的磁光效应：我们分析了由扰动特征原理论的自旋控制半导体的多层结构组成的波导中的光波的传播，并通过a型和tm coupled couppled coupled coupled coupled coupled ecte eigenmode理论，并获得了couppled波等方程的表达。本本征作为耦合波方程的解是右圆极化。发现光学和左圆极化的光是不同的，并且这些结果在所谓的“法拉达效应”中产生了极化平面旋转的所谓“法拉达效应”。 3。GAMNAS的光学特性：测量光学性能并评估用于稀释磁性半导体GAMNA的光学设备的应用。首先，使用光谱椭圆计测量其折射率和吸收系数的波长依赖性。结果，Gamnas表现出与GAAS相似的特性。尽管已经发现波长依赖性的整体依赖性较慢，并且带隙也模糊。接下来，从样品中除去底物，并测量了光传输特性。此外，测量了样品中的法拉第旋转，而极化光实际上用2千摩斯的磁场旋转。此外，在带有GAMNA的平板波导结构中，作为核心和藻类作为外壳，波导结构以1.55μm的波长成功引导。