反応の計測,診断

反应的测量和诊断

基本信息

批准号：
04223104
负责人：
英貢
金额：
$ 21.82万
依托单位：
Toyohashi University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1992
资助国家：
日本
起止时间：
1992 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

光勃起プロセスによる薄膜形成の初期過程のその場診断について研究を行った。表面反応と気相反応にわけて説明する。1.表面反応計測手段の開発としては,角度分解型X線電子分光(XPS)による基板表面への材料ガス(有機金属化合物など)の吸着や光分解を調べることの外に,偏光変調高感度反射赤外分光法を確立して同じ目的に利用した。この結果,シリコン等の表面で有機分属化合物ガスが吸着する探子(物理吸着とか化学吸着)が詳しく調べられた。さらに,エキシマレーザが重水素ランプからの紫外光を照射して,吸着種が光分解する探子も分ってきた。さらに,走査型トンネル顕微鏡によってはアルミ薄暎形成の初期で島が成長し,しかも基板表面状態により結晶柱があることが観測された。同様に高連反射電子回析(RHEED)によって,シリコン基板上でチゲルマの二次元および三次元成長の楳様が明らかにされた。以上で述べたように光勃起表面反応のその場観測が多角的に行われ大きな成果を挙げることができた。2気相反応気相やでの材料ガス(シラン系ガスを中心として)の光分解により発生したラジカルの検出に,従来から行われていたレーザー誘起学光法(LIF)に加えて,赤外ダイオードレーザー分光が利用された。シラン系ガスの光分解に伴って発生したラジカルSiHnがこれらの手法で検出された。さらにゲルマンの光分解も調べられた。レーザーアブレーションによって基板からとび出した原子および基板からはね返った原子がLIFによって調べられている。

我们开展了光直立过程薄膜形成初始过程的原位诊断研究。将分为表面反应和气相反应进行说明。 1.表面反应测量方法的发展包括利用角分辨X射线电子能谱（XPS）研究材料气体（有机金属化合物等）在基材表面的吸附和光分解，以及高灵敏度的偏振调制建立并利用反射红外光谱法用于相同目的。结果，对在硅等表面吸附有机化合物气体的探针（物理吸附和化学吸附）进行了详细研究。此外，还发现了通过用准分子激光从氘灯照射紫外线来光分解吸附物质的探针。此外，使用扫描隧道显微镜观察到，在铝薄膜形成的初期，岛生长，并且根据基板表面状况观察到晶柱。同样，高频背散射电子衍射 (RHEED) 揭示了 Tigerma 在硅基板上的 2D 和 3D 生长模式。如上所述，从多个角度对光勃起表面反应进行了原位观察，并取得了很好的成果。 2除了传统的激光诱导光谱 (LIF) 之外，还使用红外辐射来检测气相反应器中材料气体（主要是硅烷基气体）光分解产生的自由基。使用这些方法检测硅烷基气体光分解产生的自由基 SiHn。此外，还研究了锗烷的光降解。已使用 LIF 研究了通过激光烧蚀从基板喷射出的原子以及从基板弹回的原子。