Clarification of interface formation and electronic properties of power semiconductors through quantum theoretical computics
通过量子理论计算阐明功率半导体的界面形成和电子特性
基本信息
- 批准号:18H03873
- 负责人:
- 金额:$ 26.96万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(45)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Absence of oxygen-vacancy-related deep levels in amorphous (Al2O3)_{1-x}(SiO2)_x: First-principles exploration of gate oxides in GaN-based devices
非晶 (Al2O3)_{1-x}(SiO2)_x 中不存在与氧空位相关的深能级:GaN 基器件中栅极氧化物的第一原理探索
- DOI:10.1103/physrevapplied.14.014034
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:4.6
- 作者:K. Chokawa;T. Narita;D. Kikuta;T. Kachi;K. Shiozaki;A. Oshiyama and K. Shiraishi
- 通讯作者:A. Oshiyama and K. Shiraishi
Insight into the step flow growth of gallium nitride based on density functional theory
基于密度泛函理论洞察氮化镓阶梯流生长
- DOI:10.1016/j.apsusc.2022.155840
- 发表时间:2023
- 期刊:
- 影响因子:6.7
- 作者:My Bui Kieu;Shiraishi Kenji;Oshiyama Atsushi
- 通讯作者:Oshiyama Atsushi
Atomic and electronic structures of nitrogen vacancies in silicon nitride: Emergence of floating gap states
氮化硅中氮空位的原子和电子结构:浮隙态的出现
- DOI:10.1103/physrevb.106.155201
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:3.7
- 作者:Nanataki Fugo;Shiraishi Kenji;Iwata Jun-ichi;Matsushita Yu-ichiro;Oshiyama Atsushi
- 通讯作者:Oshiyama Atsushi
Chickens or Eggs in the Atomic World: Structures and Electronic Properties of Defects in Semiconductors
原子世界中的先有鸡还是先有蛋:半导体缺陷的结构和电子特性
- DOI:10.7566/jpsjnc.19.12
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Oshiyama Atsushi
- 通讯作者:Oshiyama Atsushi
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平行平板二枚撹拌翼の撹拌性能
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高坂 航平,大村 直人,石畑 敦啓,菰田 悦之,堀江 孝史
First-principles study of lateral atom manipulation assisted by structural relaxation of a scanning tip apex
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小山二三夫
がん以外には結合させない治療用抗体の改造技術; in実験医学2019年11月号
不与癌症以外的任何物质结合的治疗性抗体的修饰技术,《实验医学》2019 年 11 月号
- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
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