Research on high-efficiency tandem solar cells on flexible substrates
柔性衬底高效叠层太阳能电池研究
基本信息
- 批准号:23860011
- 负责人:
- 金额:$ 2.08万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份:2011
- 资助国家:日本
- 起止时间:2011 至 2012
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
In order to develop high-efficiency tandem solar cells to versatile flexible substrates, I investigated Al-inducedcrystallization (AIC) of amorphous Ge thin films on amorphous insulating substrates; the AIC has been well investigated to form large-grained Si layers on glass. I clarified the important parameters on the AIC. By controlling these parameters, I accomplished the low-temperature formation of a highly (111) oriented polycrystalline Ge with large grains. In addition, the Ge layer contained almost no extended defects, and had a good crystal quality.
为了将高效串联太阳能电池开发到多功能柔性底物,我研究了无定形绝缘底物上无定形GE薄膜的抗诱导晶体化(AIC)。已经对AIC进行了充分的研究,可以在玻璃上形成大颗粒的SI层。我阐明了AIC上的重要参数。通过控制这些参数,我完成了高度(111)面向大晶粒的高温形成。此外,GE层几乎没有扩展的缺陷,并且具有良好的晶体质量。
项目成果
期刊论文数量(28)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Temperature dependent AIC of a-Ge thin films on glass sub
玻璃基板上 a-Ge 薄膜的温度依赖性 AIC
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Kenjiro Fukuda;Tomohito Sekine;Yu Kobayashi;Yasunori Takeda;Daisuke Kumaki;Masato Kurihara;Masatomi Sakamoto;都甲薫 他
- 通讯作者:都甲薫 他
過飽和制御 Al 誘起成長による多結晶 Ge/非晶質基板の極低温形成
通过过饱和控制铝诱导生长低温形成多晶Ge/非晶衬底
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:D . W e iK. Takamasu;and H. Matsumoto;沼田諒平,都甲薫 他
- 通讯作者:沼田諒平,都甲薫 他
Al 誘起成長法を用いた導電膜上における Si 層の結晶方位制御
利用铝诱导生长法控制导电薄膜上硅层的晶体取向
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:韋冬;高増潔,松本弘一;Kenjiro Fukuda;都甲薫
- 通讯作者:都甲薫
Al 誘起成長法による Ge 薄膜/ガラスの(111)面方位制御
(111) Al诱导生长法控制Ge薄膜/玻璃的面取向
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Kenjiro Fukuda;Tomohito Sekine;Yu Kobayashi;Yasunori Takeda;Daisuke Kumaki;Masato Kurihara;Masatomi Sakamoto;都甲薫 他;Dong WEI;Kenjiro Fukuda;都甲薫 他
- 通讯作者:都甲薫 他
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- 影响因子:0
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- 影响因子:0
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- 影响因子:1.5
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- 影响因子:1.5
- 作者:
Sugiyama Shu;Yamashita Yudai;TOKO Kaoru;SUEMASU Takashi - 通讯作者:
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