Study of terahertz electron devices with high power in wide frequency range using quantum nanostructures
利用量子纳米结构研究宽频率范围高功率太赫兹电子器件
基本信息
- 批准号：18206040
- 负责人：
- 金额：$ 28.95万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2006
- 资助国家：日本
- 起止时间：2006 至 2008
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
未開拓周波数であるテラヘルツ周波数帯に対して、高出力・広周波数域の発振・増幅デバイスの実現を目標として、共鳴トンネルダイオードと微細アンテナを集積したテラヘルツ発振素子において、室温の単体電子デバイスでは最高周波数の831GHz での基本波発振を得るとともに、二次元電子ガスの速度変調を用いた三端子増幅素子においては、ミリ波帯での基本動作を得ることにより、テラヘルツ帯での動作が可能であることを明らかにした。
以实现尚未探索的太赫兹频段的高输出、宽频率振荡和放大器件为目标，我们开发了集成谐振隧道二极管和微型天线的太赫兹振荡元件，这是单一电子器件中最高的。室温。频率831GHz。除了获得基波振荡之外，我还做到了。
项目成果
期刊论文数量（88）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
面積縮小とオフセット給電アンテナによる共鳴トンネルダイオードTHz 発振素子の周波数上昇
通过减小面积和偏置馈电天线来提高谐振隧道二极管太赫兹振荡元件的频率
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：岸本直道;鈴木左文;浅田雅洋;関根徳彦;寶迫厳
- 通讯作者：寶迫厳
Transmission Electron Microscopy Analysis of CaF2/CdF2/CaF2 Resonant Tunneling Diode Structures Grown on Si(100) Substrate
Si(100) 衬底上生长的 CaF2/CdF2/CaF2 谐振隧道二极管结构的透射电子显微镜分析
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Watanabe;T. Kanazawa;and M. Asada
- 通讯作者：and M. Asada
Room-Temperature Terahertz Oscillators Using Resonant Tunneling Diodes
使用谐振隧道二极管的室温太赫兹振荡器
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Ushita;Y. FUJINO;M. Asada
- 通讯作者：M. Asada
Si基板上CdF2/CaF2系サブバンド間遷移レーザに向けたナノエリア微小孔によるリーク電流低減
使用纳米面积微孔减少 Si 衬底上基于 CdF2/CaF2 的子带间跃迁激光器的漏电流
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：藤久雄己;粂井正也;梶浦俊祐;佐々木雄佑;渡辺正裕;浅田雅洋
- 通讯作者：浅田雅洋
広帯域アンテナ集積InP ショットキーバリアダイオードの作製とRTDサブTHz発振出力の受信
集成 InP 肖特基势垒二极管的宽带天线的制作和 RTD 亚太赫兹振荡输出的接收
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：宮地正人;鈴木左文;辰尾佳彦;鈴木哲;浅田雅洋
- 通讯作者：浅田雅洋
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- 作者：
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- 资助金额：
$ 28.95万 - 项目类别：
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- 批准号：
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- 资助金额：
$ 28.95万 - 项目类别：
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$ 28.95万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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