evelopment of Cryogenic Readout Electronics for Superconducting

超导低温读出电子器件的发展

基本信息

  • 批准号:
    18206042
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 31.03万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2006
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2006 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

超伝導テラヘルツカメラの極低温電子回路として、ガリウム砒素半導体の接合型電界効果トランジスタ(GaAs-JFET)を用いた極低温で動作する集積回路を開発した。GaAs-JFET極低温電子回路は、積分型アンプ、マルチプレクサ、およびシフトレジスタの各集積回路から構成され、32チャンネルのマルチチップモジュールを構成することで、1000素子規模の超伝導テラヘルツカメラの読み出しに用いることができる。
作为超导Terahertz摄像机的非常低温的电子电路,已经开发了使用砷砷半导体的凝集的电场效应晶体管(GAAS-JFET)在极低温度下运行的集成电路。 GAAS-JFET低 - 温度电子电路由集成的放大器,多滴滴和移位寄存器组成,并使用32渠道多芯片模块读取1000个体系的超导体Terahertz摄像头。

项目成果

期刊论文数量(46)
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