反射第2高調波エリプソメトリの開発と化合物半導体の非線形光学特性の研究

反射二次谐波椭偏仪的发展及化合物半导体非线性光学性质的研究

基本信息

批准号：
06650047
负责人：
近藤高志
金额：
$ 1.28万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06650047/
关键词：
非線形光学半導体第2高調波発生波長変換エリプソメトリ

项目摘要

1.反射第2高調波エリプソメトリの開発本研究で提案した反射第2高調波エリプソメトリと,基本波と第2高調波の波長での通常のエリプソメトリ測定を組み合わせることによって,申請者の予測した通りに,単一の試料を用いて膜厚・線形屈折率の実部と虚部・非線形光学定数の実部と虚部とを同時に決定することができること示した。バルク試料としてはGaAs単結晶基板,薄膜試料としてはAlGaAs/GaAsに対して基本波光源としてNd:YAGレーザを用いて実験をおこない,理論解析の結果とを比較することによって本手法の有効性を実証することができた。2.半導体薄膜の非線形光学定数の評価反射第2高調波エリプソメトリの手法を幾つかの新しい非線形光学半導体材料の評価に適用した。GaAs基板上に成長したAl_<0.2>Ga_<0.8>AsとGaP基板にイオン照射をおこなって作製した非晶室GaP,六方晶系のSiC,Si基板上に成長した立方晶β-SiCについて,その非線形光学定数を決定することに初めて成功した。これらのデータは,今後の化合物半導体を用いた高性能波長変換素子の研究・開発に欠くことのできない重要な基礎データとなるものと確信している。

1。通过将本研究中提出的反射的第二个谐波椭圆法与在基本和第二谐波的波长处的正常椭圆测量结合结合，开发反射性的第二谐波椭圆法，可以同时确定膜厚度和线性折射的真实部分和现实的一部分和想象中的一部分，可以同时确定单个样本的实际样本，这表明可以同时决定。申请人。通过使用ND：YAG激光作为基本光源的GAAS单晶底物进行GAAS单晶底物的基本光源进行实验，证明了该方法的有效性，并比较了理论分析的结果。 2。半导体薄膜的非线性光学常数评估第二次谐波椭圆测定技术用于评估几种新的非线性光学光学半导体材料。我们首次成功地确定了在SI底物上生长的无定形室间隙，六角形SIC和Cutip-β-SIC的非线性光学常数，这是通过在Al_ <0.2> ga_ <0.8>上辐射离子在Gaas substrates上生长的Al_ <0.2> ga_ <0.8>和GAP底物生成的。我们认为，这些数据将是重要的基本数据，对于使用复合半导体的高性能波长转换设备的未来研究和开发是必不可少的。