Structure of Lattice-Matched Fluoride Films
晶格匹配氟化物薄膜的结构
基本信息
- 批准号:60460231
- 负责人:
- 金额:$ 3.97万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
- 财政年份:1985
- 资助国家:日本
- 起止时间:1985 至 1986
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
The atomic structure of a single-crystal Ca_xSr_<1-x>F_2 (x = 0.43) film grown on GaAs(111)B surface has been determined with the X-ray standing-wave technique. A new method has been applied which allows complete analysis of mismatched structures using a single specimen. (Ca, Sr) atoms at the interface are found seven-coordinated, supporting the previously proposed growth model of epitaxial cubic fluoride films. The atomic layer spacing across the interface is contracted by 0.37 <Ang> compared with that calculated from the bulk bond lengths. The film is strained in such a way that the (111) interplanar distance is contracted by 0.28 %, although bulk mixed fluoride exactly lattice matches GaAs at room temperature, The study is based on a theoretical re-investigation of the standing-wave position with respect to atomic planes in absorbing non-centrosymmetric crystals.
采用X射线驻波技术测定了GaAs(111)B表面生长的单晶Ca_xSr_<1-x>F_2(x=0.43)薄膜的原子结构。应用了一种新方法,可以使用单个样本对不匹配的结构进行完整分析。界面处的(Ca,Sr)原子是七配位的,支持了先前提出的外延立方氟化物薄膜的生长模型。与根据体键长计算的结果相比,界面上的原子层间距收缩了 0.37 <Ang>。尽管块状混合氟化物在室温下与 GaAs 的晶格完全匹配,但薄膜的应变使得 (111) 面间距离收缩了 0.28%。该研究基于对驻波位置的理论重新研究相对于吸收非中心对称晶体中的原子平面。
项目成果
期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Y. Saitoh: Japanese Journal of Applied Physid. 27. (1988)
Y. Saitoh:日本应用物理学杂志。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Yoshiharu Saitoh, Hiroo Hashizume and Kazuo Tsutsui: "Structure Analysis of Lattice-Matched Ca_xSr_<1-x>F_2 Epilayers by the X-Ray Standing- Wave Method" Japanese Journal of Applied Physics. 27. (1988)
Yoshiharu Saitoh、Hiroo Hashizume 和 Kazuo Tsutsui:“通过 X 射线驻波法对晶格匹配 Ca_xSr_<1-x>F_2 外延层进行结构分析”《日本应用物理学杂志》。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
HASHIZUME Hiroo其他文献
HASHIZUME Hiroo的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('HASHIZUME Hiroo', 18)}}的其他基金
Development of new techniques for the analysis of magnetic structures using third-generation synchrotron X-ray sources
开发利用第三代同步加速器X射线源分析磁结构的新技术
- 批准号:
10044071 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 3.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
Analysis of interface magnetic structures in magnetic thin films using resonant X-ray scattering techniques
使用共振 X 射线散射技术分析磁性薄膜中的界面磁结构
- 批准号:
09305019 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 3.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Studies of mesoscopic structures with synchrotron X-rays
利用同步加速器 X 射线研究细观结构
- 批准号:
07044135 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 3.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for international Scientific Research
X-ray reflection study of layred structures in multilayrs for magnetic recording
磁记录多层层状结构的X射线反射研究
- 批准号:
06452310 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 3.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
DEVELOPMENT OF A HIGH-PRECISION ELECTRON DENSITY MEASUREMENT TECHNIQUE FOR MULTILAYER FILMS
多层薄膜高精度电子密度测量技术的开发
- 批准号:
06555092 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 3.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Analysis of epilayr structures by high-resolution X-ray methods
通过高分辨率 X 射线方法分析外延层结构
- 批准号:
04044066 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 3.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for international Scientific Research
X-RAY STRUCTURES OF HETEROEPITAXIAL GROWTHS
异质外延生长的 X 射线结构
- 批准号:
03402052 - 财政年份:1991
- 资助金额:
$ 3.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
Apparatus for rapid analysis of wide-angle X-ray diffraction patterns at high temperatures
高温下广角 X 射线衍射图样快速分析装置
- 批准号:
59880007 - 财政年份:1984
- 资助金额:
$ 3.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
相似国自然基金
脉冲电流加载下Al/Ni含能薄膜反应历程超快诊断及能量耦合效应研究
- 批准号:11902299
- 批准年份:2019
- 资助金额:27.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
多铁BiFeO3超薄薄膜的精细结构、反铁磁序及其多场调控的同步辐射研究
- 批准号:U1932116
- 批准年份:2019
- 资助金额:60.0 万元
- 项目类别:联合基金项目
基于超快X射线衍射的La0.7A0.3MnO3薄膜瞬态磁序相变结构动力学研究
- 批准号:11704246
- 批准年份:2017
- 资助金额:30.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
基于同步辐射X射线微聚焦方法对纳米薄膜自组装应力变化的研究
- 批准号:U1632115
- 批准年份:2016
- 资助金额:46.0 万元
- 项目类别:联合基金项目
用同步辐射二维掠入射X射线衍射实时表征共轭聚合物薄膜微结构变化的测试平台的搭建与相关方法学研究
- 批准号:U1332116
- 批准年份:2013
- 资助金额:70.0 万元
- 项目类别:联合基金项目
相似海外基金
X-RAY DIFFRACTION CAPABILITY FOR NANOSCALE AND THIN FILM STRUCTURE
纳米级和薄膜结构的 X 射线衍射能力
- 批准号:
EP/P001513/1 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 3.97万 - 项目类别:
Research Grant
Surface X-ray diffraction studies of ultrathin films and their structural changes from bulk crystals
超薄膜的表面 X 射线衍射研究及其块状晶体的结构变化
- 批准号:
16H03866 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 3.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
In-situ structural analysis of organic semiconductor thin films by 2D X-ray diffraction
通过二维 X 射线衍射对有机半导体薄膜进行原位结构分析
- 批准号:
15K04647 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 3.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Observation and control of heteroepitaxy on Si substrate by in situ X-ray diffraction
原位X射线衍射观察与控制硅衬底异质外延
- 批准号:
21560007 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 3.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)