結晶性ボロンナノワイヤーの創製と物性評価
晶体硼纳米线的制备及物性评价
基本信息
- 批准号:15656009
- 负责人:
- 金额:$ 1.79万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
- 财政年份:2003
- 资助国家:日本
- 起止时间:2003 至 2004
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
平成15年度の研究成果で、単結晶の正方晶ボロンナノベルト(BNB)の再現性良い作製条件は見いだされたので、平成16年度に関しては、その物性評価に主点を置き、以下のような成果を得た。1.電気伝導度測定法の開発平成15年度にはAFMによる伝導度測定を試み、定性的な評価には成功したが、定量評価を行うには限界が有ることも判明した。本年度は、電子線リソグラフィーの手法を用いて、あらかじめ表面を熱酸化させて絶縁を取ったシリコン基板上に試料のBNBを分散し、走査型電子顕微鏡によって試料位置を確認した後、微細電極を作製する技術を開発した。理想的には4端子電極が望ましいが、BNBが電極物質に比べて著しく高抵抗であることと、適切な接合条件を見いだすことで、電極作製上はるかに容易な2端子法を用いても十分に物性評価が可能であることを明らかにした。2.BNB試料への元素ドープバルクのボロンにおいて実績の有る電荷付与の手法として、加熱した石英閉管内で蒸気に試料を晒すことで、アルカリ土類軽元素であるMgのドーピングを行った。電子顕微鏡による分析からは、試料表面への部分的なMgの析出も認められるが、下記の伝導評価などから総合してほぼ良好なMgドープは実現できていると考えられる。3.電気伝導評価試料形状による依存性は見られるが、得られた伝導度は10^<-4>(Ωcm)^<-1>のオーダーで、バルクのαとβ菱面体ボロンの中間的な値を示している。また、温度(T)依存性を調べるとT^<-1/4>でスケール可能であり、バルクボロンなどで知られている可変領域ホッピング伝導で有る可能性が高いと考えられる。また、Mgドープ試料においては、伝導度が2桁も上昇し、かつ温度依存性が同じくT^<-1/4>でスケールされることから、良好に均一ドープされたことが分かった。ただし、Mgドープ量の規定が出来ていないので、ドープ量による定量的な評価は出来ていない。
在2003年的研究结果中,发现了单晶住宿硼Nanovelt(BNB)的良好可重复性,因此在2004年,其特性评估的主要点是我得到的。 1。开发2013财年的电导率测量方法,发现AFM进行了电导率测量并成功进行了定性评估,但是定量评估有限制。在这个财政年度,使用电子licography方法,样品的BNB分散在硅底物上,并通过扫描电子显微镜确认样品位置,并创建了细节要做的技术。理想情况下,需要四个末端电极,但是通过发现与电极物质相比,BNB明显更高的电阻,它可以使用两端方法来制作适当的关节条件可以评估物理特性。 2。在元素的硼中,BNB样品的浓汤是一种积极的充电方法,在加热的石英封闭管中暴露于碱性土壤光元素mg的掺杂(一种碱土元素)。电子显微镜的分析在样品表面上也具有部分毫克的毫克,但是可以从以下导电性评估中实现几乎良好的MG涂料。 3。可以看到对电导性评估样品形状的依赖性,但所获得的电导率为10^<-4>(ωcm)^<-1>,中间是α和β-β-β-rush硼的体积价值。根据温度(t)的依赖性,可以用T^<-1/4>进行扩展,并且很可能有一个可变的跳动,称为散装硼。另外,在MG浓汤样品中,发现电导率增加了两个数字,并且温度依赖性也用T^<-1/4>缩放,因此它均匀地涂料。但是,由于未提供MG涂料量,因此尚未执行涂料量的定量评估。
项目成果
期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Z.Wang: "Fabrication of crystallized boron films by laser ablation"J.Solid Chem.. 177. 1639 (2004)
Z.Wang:“通过激光烧蚀制备结晶硼薄膜”J.Solid Chem.. 177. 1639 (2004)
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Thermoelectric properties of AlPdRe quasicrystalline thin films
AlPdRe准晶薄膜的热电性能
- DOI:
- 发表时间:2004
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Wang Zhongke;Wang Zhongke;Kazuhiro Kirihara
- 通讯作者:Kazuhiro Kirihara
Fabrication of crystallized boron films by laser ablation
- DOI:10.1016/j.jssc.2003.12.018
- 发表时间:2004-04
- 期刊:
- 影响因子:3.3
- 作者:Z. Wang;Y. Shimizu;T. Sasaki;K. Kirihara;Kenji Kawaguchi;K. Kimura;N. Koshizaki
- 通讯作者:Z. Wang;Y. Shimizu;T. Sasaki;K. Kirihara;Kenji Kawaguchi;K. Kimura;N. Koshizaki
Effect of substrate position on the morphology of boron products by laser ablatio
基底位置对激光烧蚀硼产品形貌的影响
- DOI:
- 发表时间:2004
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Wang Zhongke
- 通讯作者:Wang Zhongke
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
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秋本 順二
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