ラインコンパウンド空孔規則相の構造物性

线状复合孔有序相的结构性质

基本信息

批准号：
15656174
负责人：
山口正治
金额：
$ 1.98万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
2003
资助国家：
日本
起止时间：
2003 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

ラインコンパウンドは組成幅がほとんど無い化合物であるが、その中に、組成が古典的な化学量論に従わず構成元素比が整数でないものが多数存在する。このようなラインコンパウンドの基本的構造はほとんど既知であるが、実際には基本構造に多量の構造的原子空孔が組み込まれた空孔規則相として存在することが多い。このような空孔規則相には原子空孔の配列によって多くのvariationsが存在し、その物性は空孔規則相の構造と非常に強い相関を持っている。このような構造と物性の間に特に強い相関をもつ物質について、その相関を研究するためには「構造物性学」的視点を導入する必要がある。そこで、C11_bを基本とする構造をもつシリサイドについて、その構造、特に空孔規則構造と物性の関係について研究した。Re disilicideの単相はReSi_<1.75>組成で得られ、基本構造はC11_b型である。しかし1770℃以下では、欠損Siが空格子点となり単斜晶空孔規則構造が形成される。Si欠損を構造的に捉えず、C11_b構造としてRe disilicideの電子構造を計算すればRe disilicideは金属的であると報告されている。しかし現実のReSi_<1.75>はnarrow gapの半導体であり、空孔規則構造と物性の強い相関がある。本研究では,ReSi_<1.75>のReをMoで置換、Si量を微調整しつつ単相試料を作製、その電気抵抗を測定し、半導体的挙動から金属的挙動への遷移と対応する構造変化を解析した。同時に新たなシアー構造やアダプティブ構造を見出し、それらの構造に結晶した試料の熱電性能指数を測定したが、現在のところ特に大きな値を得るには至っていない。

线化合物是几乎没有组成宽度的化合物，但其中许多具有不遵循经典化学计量的组成元素，并且在其组成元素中没有整数。这种线化合物的基本结构主要是已知的，但实际上，它通常是作为一个孔有序的相存在的，其中将大量结构性原子空位纳入了基本结构。由于原子空位的排列，这种孔有序相的变化很多，它们的物理特性与孔有序相结构非常密切。对于结构和物理特性之间具有特别强相关性的材料，有必要引入“结构性物理特性”观点以研究相关性。因此，我们研究了硅化物与基于C11_b的结构的结构之间的关系，尤其是孔顺序结构和物理特性。 Re二酰二酰胺的单相是通过RESI_ <1.75>组成获得的，基本结构是C11_B类型。但是，在1770°C或以下时，缺失的Si成为一个空缺点，形成了单斜孔顺序结构。没有SI缺乏症的结构视图，据报道，如果将二酰二酰基的电子结构计算为C11_B结构，则RE二酰二酰基是金属的。但是，真实的resi_ <1.75>是狭窄间隙的半导体，并且孔规则结构和物理特性之间存在很强的相关性。在这项研究中，我们用MO在RESI_ <1.75>中替换了RE，并产生了单相样品，同时细微调整了Si的量，并测量了电阻，并分析了从半导体行为到金属行为和相应的结构变化的过渡。同时，发现了新的纯粹和自适应结构，并针对结晶成这些结构的样品测量了功绩的热电图，但是在这一点上，尚未获得特定的值。