酸化物高温超伝導体の磁束系の相転移と高磁場磁気相図

氧化物高温超导体磁通体系相变及高场磁相图

基本信息

批准号：
09740260
负责人：
西嵜照和
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至 1998
项目状态：
已结题

项目摘要

酸化物高温超伝導体YBa_2Cu_3O_y単結晶をフラックス法を用いて作製し,一軸加圧下で熱処理を行うことにより高品質の非双晶単結晶を得ることに成功した.これらの不規則性が小さい高品質単結晶(T_C【similar or equal】92K)に対して電子線照射により点欠陥を人工的に導入し,照射前後の磁束状態を同一の単結晶を用いて調べた.電子線照射は日本原子力研究所・高崎研究所において行い,2.5MeVの電子線を照射した.また,東北大学金属材料研究所のハイブリットマグネットを用いてHall素子による磁化測定と電気抵抗の測定を最大30Tまで行った結果以下のことが明らかになった.電子線照射により磁束格子融解1次相転移線の臨界点はH_<cp>【similar or equal】11T(照射前)から5T(2×10^<18>e/cm^2照射後)に減少した.このことから,磁束格子融解転移は非常に微量の不規則性によって消失することが明らかになった.一方,H_<cp>以上で観測される磁束グラス転移線は照射量の増加とともに低温側に移動した.この結果は重イオン照射による柱状欠陥の場合とは異なり,電子線照射により導入されたランダムな点欠陥が磁束液体の揺らぎを増加させることを示している.磁束固体相においては,磁束格子状態と磁束グラス状態の境界線であるH^*(T)において磁化の急激な増大が観測された.照射後にはH^*(T)は低磁場側に移動するが常に臨界点に到達し,導入された点欠陥によって磁束グラス状態が安定化されることが分かった.これらの結果は,H^*(T)の起源が磁束構造の相転移(規則-不規則転移)であるとする最近の理論を用いてよく説明できることが分かった.

我们采用助熔剂法成功制备了高温氧化物超导体YBa_2Cu_3O_y单晶，并在单轴压力下对其进行热处理，获得了高质量的非孪晶单晶（T_C【类似或）。我们使用电子束照射（92K）人工引入点缺陷，并使用同一单晶研究照射前后的磁通状态。电子束照射是在日本原子能研究所/高崎研究所进行的，用2.5进行照射。兆伏电子束。在材料研究所使用混合磁体，使用最大 30 T 的霍尔元件测量磁化强度和电阻，结果明确了以下内容：磁通的一级相变线的临界性电子束照射引起的晶格熔化点为 H_<cp> [类似]或者等于】11T（照射前）至5T（2×10^<18>e/cm^2照射后），这表明通量晶格熔化转变由于非常小的不规则性而消失。 H_<cp>上述观察到的磁通量玻璃化转变线随着辐照剂量的增加而向低温侧移动。该结果与重离子辐照引起的柱状缺陷的情况不同，该结果表明电子束辐照引入的随机点缺陷增加的波动在通量固相中，在H^*(T)处观察到磁化强度快速增加，这是通量晶格态和通量玻璃态之间的边界。辐照后，H^*(T)移动到较低磁性场边，但总是到达临界点并引导发现磁通量玻璃态通过引入的点缺陷而稳定。发现这可以使用理论来很好地解释。