斜入射X線非弾性散乱法によるGeおよびSi表面・界面のフォノン散乱解明に関する研究

利用掠入射X射线非弹性散射法阐明Ge和Si表面和界面上声子散射的研究

基本信息

  • 批准号：
    24K17313
  • 负责人：
    横川 凌
  • 金额：
    $ 3万
  • 依托单位：
    Meiji University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份：
    2024
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2024-04-01 至 2027-03-31
  • 项目状态：
    未结题

项目摘要

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项目成果

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数据更新时间：2024-06-01

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  • 通讯作者：
    横川 凌
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  • 通讯作者：
    小椋 厚志
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    横川 凌;小椋 厚志
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  • 通讯作者：
    小椋 厚志
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  • 通讯作者：
    小椋 厚志
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    吉岡 和俊;小原田 賢聖;小笠原 凱;廣沢 一郎;渡辺 剛;横川 凌;小椋 厚志
    吉岡 和俊;小原田 賢聖;小笠原 凱;廣沢 一郎;渡辺 剛;横川 凌;小椋 厚志
  • 通讯作者：
    小椋 厚志
    小椋 厚志
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