Development of basic process for fabrication of large single crystals of hexagonal boron nitride in wafer shape
晶圆状大尺寸六方氮化硼单晶制造基本工艺的开发
基本信息
- 批准号:18K04231
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要

暂无数据
项目成果
期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Improvement in the luminescence property of hexagonal boron nitride grown by CVD on a c-plane sapphire substrate
c面蓝宝石衬底上CVD生长六方氮化硼发光性能的改善
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Kazuhiko Hara;Naoki Umehara;Kohei Shima;Kazunobu Kojima and Shigefusa F. Chichibu
- 通讯作者:Kazunobu Kojima and Shigefusa F. Chichibu
LUMINESCENCE SPECTRA OF HEXAGONAL BN THIN FILMS GROWN BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION ON A c-PLANE Al2O3 SUBSTRATE
c 面 Al2O3 基板上化学气相沉积六方氮化硼薄膜的发光光谱
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. F. Chichibu;N. Umehara;K. Shima;K. Kojima and K. Hara
- 通讯作者:K. Kojima and K. Hara
サファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の発光ダイナミクス
蓝宝石衬底上气相生长的 h-BN 薄膜的发射动力学
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:秩父 重英;嶋 紘平;梅原 直己;小島 一信;原 和彦
- 通讯作者:原 和彦
Chemical vapor deposition of GaN films using gallium vapor as a gallium source on a c-plane sapphire substrate
使用镓蒸气作为镓源在 c 面蓝宝石衬底上化学气相沉积 GaN 薄膜
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Hara;Y. Masuda;W. Kunieda;H. Kominami
- 通讯作者:H. Kominami
六方晶窒化ホウ素薄膜のCVD成長におけるグレイン成長と結合
六方氮化硼薄膜CVD生长中的晶粒生长和耦合
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:名嘉眞 朝泰;松下 一貴;渡邊 泰良;小南 裕子;原 和彦
- 通讯作者:原 和彦
共 11 条
- 1
- 2
- 3
Hara Kazuhiko其他文献
Investigation of radiation hardness improvement by applying back-gate bias for FD-SOI MOSFETs
通过对 FD-SOI MOSFET 施加背栅偏压来改善辐射硬度的研究
- DOI:10.1016/j.nima.2018.05.06810.1016/j.nima.2018.05.068
- 发表时间:20192019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Kurachi Ikuo;Kobayashi Kazuo;Okihara Masao;Kasai Hiroki;Hatsui Takaki;Hara Kazuhiko;Miyoshi Toshinobu;Arai YasuoKurachi Ikuo;Kobayashi Kazuo;Okihara Masao;Kasai Hiroki;Hatsui Takaki;Hara Kazuhiko;Miyoshi Toshinobu;Arai Yasuo
- 通讯作者:Arai YasuoArai Yasuo
FASER実験:LHC-Run3での未知粒子探索および高エネルギーニュートリノ測定に向けたストリップ型シリコン検出器の開発
FASER实验:开发条形硅探测器,用于LHC-Run3未知粒子搜索和高能中微子测量
- DOI:
- 发表时间:20202020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Murayama Hitoshi;Hara Kazuhiko;Yamauchi Hiroki;Abe Ryuhei;Iwanami Shikie;Watanabe Kevin;Okada Yui;Tsuboyama Toru;Arai Yasuo;Miyoshi Toshinobu;Kurachi Ikuo;Haba Junji;Togawa Manabu;Ikegami Yoichi;Nishimura Ryutaro;Ishikawa Akimasa;Ono Shun;Li Taohan;Yamada;音野瑛俊Murayama Hitoshi;Hara Kazuhiko;Yamauchi Hiroki;Abe Ryuhei;Iwanami Shikie;Watanabe Kevin;Okada Yui;Tsuboyama Toru;Arai Yasuo;Miyoshi Toshinobu;Kurachi Ikuo;Haba Junji;Togawa Manabu;Ikegami Yoichi;Nishimura Ryutaro;Ishikawa Akimasa;Ono Shun;Li Taohan;Yamada;音野瑛俊
- 通讯作者:音野瑛俊音野瑛俊
Shallow electron traps formed by Gd2+ ions adjacent to oxygen vacancies in cerium-doped Gd3Al2Ga3O12 crystals
掺铈 Gd3Al2Ga3O12 晶体中邻近氧空位的 Gd2 离子形成的浅电子陷阱
- DOI:10.1063/1.504321810.1063/1.5043218
- 发表时间:20182018
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:Kitaura Mamoru;Watanabe Shinta;Kamada Kei;Jin Kim Kyoung;Yoshino Masao;Kurosawa Shunsuke;Yagihashi Toru;Ohnishi Akimasa;Hara KazuhikoKitaura Mamoru;Watanabe Shinta;Kamada Kei;Jin Kim Kyoung;Yoshino Masao;Kurosawa Shunsuke;Yagihashi Toru;Ohnishi Akimasa;Hara Kazuhiko
- 通讯作者:Hara KazuhikoHara Kazuhiko
Optimization of capacitively coupled Low Gain Avalanche Diode (AC-LGAD) sensors for precise time and spatial resolution
优化电容耦合低增益雪崩二极管 (AC-LGAD) 传感器以实现精确的时间和空间分辨率
- DOI:10.1016/j.nima.2022.16800910.1016/j.nima.2022.168009
- 发表时间:20232023
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Kita Sayuka;Nakamura Koji;Ueda Tatsuki;Goya Ikumi;Hara KazuhikoKita Sayuka;Nakamura Koji;Ueda Tatsuki;Goya Ikumi;Hara Kazuhiko
- 通讯作者:Hara KazuhikoHara Kazuhiko
First Prototype of Finely Segmented HPK AC-LGAD Detectors
第一个精细分段 HPK AC-LGAD 探测器原型
- DOI:10.7566/jpscp.34.01001610.7566/jpscp.34.010016
- 发表时间:20212021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Nakamura Koji;Kita Sayuka;Ueda Tatsuki;Hara Kazuhiko;Suzuki HisanoriNakamura Koji;Kita Sayuka;Ueda Tatsuki;Hara Kazuhiko;Suzuki Hisanori
- 通讯作者:Suzuki HisanoriSuzuki Hisanori
共 12 条
- 1
- 2
- 3
Hara Kazuhiko的其他基金
Realisation of 4D Semiconductor Tracker with Fine Spatial and Time Resolutions
实现具有精细空间和时间分辨率的 4D 半导体跟踪器
- 批准号:19H0439319H04393
- 财政年份:2019
- 资助金额:$ 2.75万$ 2.75万
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of a system to support evaluation of prosthetic socket adaptation
开发支持评估假肢接受腔适应性的系统
- 批准号:16K0155816K01558
- 财政年份:2016
- 资助金额:$ 2.75万$ 2.75万
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Construction of the three-dimensional shape evaluation system for the prosthesis socket fit evaluation
假肢接受腔贴合度评价三维形状评价系统的构建
- 批准号:2535067325350673
- 财政年份:2013
- 资助金额:$ 2.75万$ 2.75万
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
Microporous structure tuning and ultrathin film formation via atmospheric-pressure plasma-enhanced CVD for the development of highly permselective silica membranes
通过大气压等离子体增强 CVD 进行微孔结构调整和超薄膜形成,用于开发高选择性渗透二氧化硅膜
- 批准号:22H0185122H01851
- 财政年份:2022
- 资助金额:$ 2.75万$ 2.75万
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Novel biomaterial for enantiomer separation
用于对映体分离的新型生物材料
- 批准号:1038525110385251
- 财政年份:2022
- 资助金额:$ 2.75万$ 2.75万
- 项目类别:
Diamond NMR spectrometer for microfluidic metabolite profiling
用于微流体代谢物分析的金刚石核磁共振波谱仪
- 批准号:1038558210385582
- 财政年份:2021
- 资助金额:$ 2.75万$ 2.75万
- 项目类别:
化学気相成長法のための自動研究開発システムの構築
化学气相沉积法自动化研发系统的构建
- 批准号:21K0381721K03817
- 财政年份:2021
- 资助金额:$ 2.75万$ 2.75万
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Fabrication of quantum-dot-dispersed semiconductor films by the single process using mist CVD
使用雾气CVD单一工艺制造量子点分散半导体薄膜
- 批准号:21K0415421K04154
- 财政年份:2021
- 资助金额:$ 2.75万$ 2.75万
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)Grant-in-Aid for Scientific Research (C)