将来の革新デバイスに向けたBi・Sn媒介GeSnナノドット形成技術の研究

Bi/Sn介导的GeSn纳米点形成技术用于未来创新器件的研究

• 批准号: 20K04557
• 负责人: 岡本 浩
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Hirosaki University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-01 至 2024-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K04557/
• 关键词: 半導体ナノ構造; ナノドット; 量子ドット; Ge; Bi; GeSn; Sn

本研究は近年発展の著しいシリコンフォトニクス技術において未だ実現されていないⅣ族半導体による半導体レーザ、並びに将来の超低消費電力ロジック回路に向けた本質的な多値論理メモリ素子の実現に向け、申請者がこれまでに開発したBi媒介Geナノドット並びにSn媒介GeSnナノドットの作製技術を発展させるとともに高均一・精密配列技術を開拓すること、また、平行して媒介材料を介した低温ナノドット形成における結晶成長並びに界面の化学反応に関する学術的知見を得ることを目的としている。令和２年度はナノドットの精密配列技術とナノドットフローティングゲートメモリの基本構造となるナノドットフローティングゲートキャパシタの作製技術の検討を比較的コントロールがしやすいGeナノドットを主に用いて行った。精密配列技術に関してはEBリソグラフィー技術を用いたリフトオフ技術の検討を進めたところ、基本的な整列形成は可能なものの、リフトオフ時における付着物の制御が課題となることが明らかになった。また、ナノドットフローティングゲートキャパシタの作製検討においては前年度課題となっていたコントロールゲート用絶縁膜の品質向上に目処をつけ、この製法を報告するとともにフローティングゲートへの電荷注入特性を測定することに成功した（未発表）。しかしながら製造プロセスの再現性に問題があることも確認され、今後の新たな課題となった。

这项研究是为了实现II半导体的半导体激光器的必不可少的多磁逻辑记忆元件，在最近的硅光子技术的最新开发中尚未实现，以及对于未来Ultra -Low的基本多值逻辑记忆元素 - 逻辑电路。目的是获得有关化学反应的学术知识。在2012财年，我们主要使用了GE Nanodot，它相对容易控制Nanodot浮动栅极电容器的生产，这是Nandot浮动门存储器的纳米式浮动门存储器的基本结构。关于精确阵列技术，使用EB光刻技术对升力型技术进行的研究表明，尽管基本的一致性是可能的，但可以在升降时对粘附的控制。此外，在研究纳米射线浮动门电容器的生产中，我们成功地改善了用于控制门的隔离膜的质量，这是上一年的任务，报告了此方法并测量了浮动门的电荷注入特性（未发行）。但是，已经证实，制造过程的可重复性存在问题，这是将来的新挑战。

项目成果

真空蒸着法によるMOSキャパシタの作製

真空蒸镀法制作MOS电容器

• 发表时间: 2020
• 作者: Hidaka Atsuki;Takeshita Akinobu;Ogawa Kohei;Imamura Tatsuya;Takano Kota;Okuda Kazuya;Matsuura Hideharu;Ji Shi Yang;Eto Kazuma;Mitani Takeshi;Kojima Kazutoshi;Kato Tomohisa;Yoshida Sadafumi;Okumura Hajime;佐藤翔，忻欣，泉晋作;前田猛，岡本浩
• 通讯作者: 前田猛，岡本浩