将来の革新デバイスに向けたBi・Sn媒介GeSnナノドット形成技術の研究

Bi/Sn介导的GeSn纳米点形成技术用于未来创新器件的研究

• 批准号: 20K04557
• 负责人: 岡本 浩
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Hirosaki University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-01 至 2024-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K04557/
• 关键词: 半導体ナノ構造; ナノドット; 量子ドット; Ge; Bi; GeSn; Sn

本研究は近年発展の著しいシリコンフォトニクス技術において未だ実現されていないⅣ族半導体による半導体レーザ、並びに将来の超低消費電力ロジック回路に向けた本質的な多値論理メモリ素子の実現に向け、申請者がこれまでに開発したBi媒介Geナノドット並びにSn媒介GeSnナノドットの作製技術を発展させるとともに高均一・精密配列技術を開拓すること、また、平行して媒介材料を介した低温ナノドット形成における結晶成長並びに界面の化学反応に関する学術的知見を得ることを目的としている。令和２年度はナノドットの精密配列技術とナノドットフローティングゲートメモリの基本構造となるナノドットフローティングゲートキャパシタの作製技術の検討を比較的コントロールがしやすいGeナノドットを主に用いて行った。精密配列技術に関してはEBリソグラフィー技術を用いたリフトオフ技術の検討を進めたところ、基本的な整列形成は可能なものの、リフトオフ時における付着物の制御が課題となることが明らかになった。また、ナノドットフローティングゲートキャパシタの作製検討においては前年度課題となっていたコントロールゲート用絶縁膜の品質向上に目処をつけ、この製法を報告するとともにフローティングゲートへの電荷注入特性を測定することに成功した（未発表）。しかしながら製造プロセスの再現性に問題があることも確認され、今後の新たな課題となった。

这项研究旨在开发近年来尚未在快速开发的硅光子技术技术中实现的双介导的GE纳米植物和SN介导的GESN纳米型的制造技术，以及对于未来的超低功耗逻辑，以及在化学方面的高度统一性，以及在化学方面，以及在化学方面，以及在化学方面，以及在化学方面，以及在化学上的技术方面，以及在化学方面，以及在化学方面，以及在化学方面，以及化学技术，以及化学方面的技术，以及在化学方面，以及化学技术，以及化学技术，以及化学技术，以及化学技术，并在化学方面以及化学技术方面，以及化学方面的技术，并在化学方面以及实现了高度统一的技术，并获得了化学方面的技术，并获得了化学效果，并获得了化学方面的技术。通过介导的材料形成低温纳米模型。在2020财政年度，我们主要使用了GE纳米模型，这是用于纳米浮动门电容器的纳米模特和制造技术的精确阵列技术，这是纳米浮游门回忆的基本结构。关于精确的一致性技术，我们开始使用EB光刻技术研究升降技术，并发现尽管可以形成基本的对准，但在提升过程中控制存款是一个挑战。此外，在制备纳米式浮动栅极电容器时，我们专注于改善控制门的绝缘膜的质量，这是上一年的挑战，并在这种制造方法上进行了报道，并成功地测量了电荷注入特性到浮花门（未公开）。但是，也已经确认，制造过程的可重复性存在问题，并且已成为未来的新挑战。

项目成果

真空蒸着法によるMOSキャパシタの作製

真空蒸镀法制作MOS电容器

• 发表时间: 2020
• 作者: Hidaka Atsuki;Takeshita Akinobu;Ogawa Kohei;Imamura Tatsuya;Takano Kota;Okuda Kazuya;Matsuura Hideharu;Ji Shi Yang;Eto Kazuma;Mitani Takeshi;Kojima Kazutoshi;Kato Tomohisa;Yoshida Sadafumi;Okumura Hajime;佐藤翔，忻欣，泉晋作;前田猛，岡本浩
• 通讯作者: 前田猛，岡本浩