Low-temperature solid-phase crystallization of oxide semiconductors and its application to high-performance flexible devices

氧化物半导体低温固相结晶及其在高性能柔性器件中的应用

基本信息

  • 批准号:
    20K22415
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-09-11 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(14)
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High-mobility hydrogenated polycrystalline In2O3 (In2O3:H) thin-film transistors
高迁移率氢化多晶In2O3 (In2O3:H)薄膜晶体管
  • DOI:
    10.1038/s41467-022-28480-9
  • 发表时间:
    2022-02-28
  • 期刊:
  • 影响因子:
    16.6
  • 作者:
    Y. Magari;Taiki Kataoka;W. Yeh;M. Furuta
  • 通讯作者:
    M. Furuta
High-mobility hydrogenated polycrystalline In2O3 (In2O3: H) thin-film transistors
高迁移率氢化多晶In2O3(In2O3:H)薄膜晶体管
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yusaku Magari; Wenchang Yeh;Mamoru Furuta
  • 通讯作者:
    Mamoru Furuta
High-mobility hydrogenated polycrystalline In2O3 (In2O3:H) thin-film transistors
高迁移率氢化多晶In2O3 (In2O3:H)薄膜晶体管
  • DOI:
    10.1038/s41467-022-28480-9
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    16.6
  • 作者:
    Magari Yusaku;Kataoka Taiki;Yeh Wenchang;Furuta Mamoru
  • 通讯作者:
    Furuta Mamoru
High-mobility hydrogenated polycrystalline In2O3 (In2O3:H) thin-film transistors
高迁移率氢化多晶In2O3 (In2O3:H)薄膜晶体管
  • DOI:
    10.1038/s41467-022-28480-9
  • 发表时间:
    2022-02-28
  • 期刊:
  • 影响因子:
    16.6
  • 作者:
    Magari Y;Kataoka T;Yeh W;Furuta M
  • 通讯作者:
    Furuta M
Nondegenerate Polycrystalline Hydrogen-Doped Indium Oxide (InOx:H) Thin Films Formed by Low-Temperature Solid-Phase Crystallization for Thin Film Transistors
用于薄膜晶体管的低温固相结晶形成的非简并多晶掺氢氧化铟 (InOx:H) 薄膜
  • DOI:
    10.3390/ma15010187
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.4
  • 作者:
    Kataoka Taiki;Magari Yusaku;Makino Hisao;Furuta Mamoru
  • 通讯作者:
    Furuta Mamoru
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  • 通讯作者:
    Magari Yusaku
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  • 影响因子:
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  • 作者:
    Aman S. G. Mehadi;Magari Yusaku;Shimpo Kenta;Hirota Yuya;Makino Hisao;Koretomo Daichi;Furuta Mamoru
  • 通讯作者:
    Furuta Mamoru
Influence of Deposition Temperature and Source Gas in PE-CVD for SiO2 Passivation on Performance and Reliability of In?Ga?Zn?O Thin-Film Transistors
PE-CVD SiO2钝化沉积温度和源气体对InGaZnO薄膜晶体管性能和可靠性的影响
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    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
    Aman S. G. Mehadi;Koretomo Daichi;Magari Yusaku;Furuta Mamoru
  • 通讯作者:
    Furuta Mamoru

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