Low-temperature solid-phase crystallization of oxide semiconductors and its application to high-performance flexible devices
氧化物半导体低温固相结晶及其在高性能柔性器件中的应用
基本信息
- 批准号:20K22415
- 负责人:
- 金额:$ 1.83万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-09-11 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(14)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
High-mobility hydrogenated polycrystalline In2O3 (In2O3:H) thin-film transistors
高迁移率氢化多晶In2O3 (In2O3:H)薄膜晶体管
- DOI:10.1038/s41467-022-28480-9
- 发表时间:2022-02-28
- 期刊:
- 影响因子:16.6
- 作者:Y. Magari;Taiki Kataoka;W. Yeh;M. Furuta
- 通讯作者:M. Furuta
High-mobility hydrogenated polycrystalline In2O3 (In2O3: H) thin-film transistors
高迁移率氢化多晶In2O3(In2O3:H)薄膜晶体管
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yusaku Magari; Wenchang Yeh;Mamoru Furuta
- 通讯作者:Mamoru Furuta
High-mobility hydrogenated polycrystalline In2O3 (In2O3:H) thin-film transistors
高迁移率氢化多晶In2O3 (In2O3:H)薄膜晶体管
- DOI:10.1038/s41467-022-28480-9
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:16.6
- 作者:Magari Yusaku;Kataoka Taiki;Yeh Wenchang;Furuta Mamoru
- 通讯作者:Furuta Mamoru
High-mobility hydrogenated polycrystalline In2O3 (In2O3:H) thin-film transistors
高迁移率氢化多晶In2O3 (In2O3:H)薄膜晶体管
- DOI:10.1038/s41467-022-28480-9
- 发表时间:2022-02-28
- 期刊:
- 影响因子:16.6
- 作者:Magari Y;Kataoka T;Yeh W;Furuta M
- 通讯作者:Furuta M
Nondegenerate Polycrystalline Hydrogen-Doped Indium Oxide (InOx:H) Thin Films Formed by Low-Temperature Solid-Phase Crystallization for Thin Film Transistors
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- DOI:10.3390/ma15010187
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:3.4
- 作者:Kataoka Taiki;Magari Yusaku;Makino Hisao;Furuta Mamoru
- 通讯作者:Furuta Mamoru
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- 作者:
Aman S. G. Mehadi;Koretomo Daichi;Magari Yusaku;Furuta Mamoru - 通讯作者:
Furuta Mamoru
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