Development of technique of heat conduction control by condition of Si/SiO2 interface

Si/SiO2界面条件热传导控制技术的发展

基本信息

批准号：
20K14793
负责人：
Tomita Motohiro
金额：
$ 2.66万
依托单位：
Waseda University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（9）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Atomic mass dependency of a localized phonon mode in SiGe alloys

SiGe 合金中局域声子模式的原子质量依赖性

DOI：
10.1063/5.0071699
发表时间：
2021-11-01
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
Sylvia Yuk Yee Chung;M. Tomita;R. Yokogawa;A. Ogura;Takanobu Watanabe
通讯作者：
Takanobu Watanabe

分子動力学法を用いたSiGe混晶内の低エネルギー局在フォノンの振動モード解析

利用分子动力学方法分析 SiGe 混晶中低能局域声子的振动模式

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
富田基裕; S. Y; Y. Chung; 横川凌; 小椋厚志; 渡邉孝信
通讯作者：
渡邉孝信

Atomic mass dependency of a localized phonon mode in SiGe alloys

SiGe 合金中局域声子模式的原子质量依赖性

DOI：
10.1063/5.0071699
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
1.6
作者：
Yee Chung Sylvia Yuk;Tomita Motohiro;Yokogawa Ryo;Ogura Atsushi;Watanabe Takanobu
通讯作者：
Watanabe Takanobu

分子動力学法を用いたSiO2/Si/SiO2薄膜内の低エネルギーフォノンの振動モード解析

利用分子动力学方法分析 SiO2/Si/SiO2 薄膜中低能声子的振动模式

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
富田基裕; 横川凌; 小椋厚志; 渡邉孝信
通讯作者：
渡邉孝信

分子動力学法を用いたSiGe中の低エネルギーフォノンモードの変位解析

利用分子动力学方法分析 SiGe 中低能声子模式的位移

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
富田基裕; Sylvia Yuk Yee Chung; 横川凌; 小椋厚志; 渡邉孝信
通讯作者：
渡邉孝信

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Tomita Motohiro其他文献

Superior power generation capacity of GeSn over Si demonstrated in cavity-free thermoelectric device architecture

无腔热电器件架构展示了 GeSn 优于 Si 的发电能力

DOI：
10.35848/1347-4065/acaed1
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Mahfuz Md Mehdee Hasan;Katayama Kazuaki;Ito Yoshitsune;Fujimoto Kazuaki;Tomita Motohiro;Kurosawa Masashi;Matsuki Takeo;Watanabe Takanobu
通讯作者：
Watanabe Takanobu

Study on phonon lifetime in bulk silicon germanium through observation of acoustic phonon spectra broadening by inelastic x-ray scattering

通过非弹性 X 射线散射观察声子谱展宽研究体硅锗中的声子寿命

DOI：
10.1063/5.0095774
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
4
作者：
Yokogawa Ryo;Arai Yasutomo;Yonenaga Ichiro;Tomita Motohiro;Chung Sylvia Yuk Yee;Uchiyama Hiroshi;Watanabe Takanobu;Ogura Atsushi
通讯作者：
Ogura Atsushi

Sn-incorporation effect on thermoelectric properties of Sb-doped Ge-rich Ge1-x-ySixSny epitaxial layers grown on GaAs(001)

Sn掺入对GaAs(001)上生长的Sb掺杂富GeGe1-x-ySixSny外延层热电性能的影响

DOI：
10.35848/1347-4065/ac7bc7
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Kurosawa Masashi;Nakata Masaya;Zhan Tianzhuo;Tomita Motohiro;Watanabe Takanobu;Nakatsuka Osamu
通讯作者：
Nakatsuka Osamu

Enhanced nickelidation rate in silicon nanowires with interfacial lattice disorder

界面晶格无序的硅纳米线镍化率提高

DOI：
10.1063/1.4999195
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
3.2
作者：
Hashimoto Shuichiro;Yokogawa Ryo;Oba Shunsuke;Asada Shuhei;Xu Taiyu;Tomita Motohiro;Ogura Atsushi;Matsukawa Takashi;Masahara Meishoku;Watanabe Takanobu
通讯作者：
Watanabe Takanobu

Modification and Characterization of Interfacial Bonding for Thermal Management of Ruthenium Interconnects in Next-Generation Very-Large-Scale Integration Circuits

下一代超大规模集成电路中钌互连热管理界面键合的修改和表征

DOI：
10.1021/acsami.1c20366
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Zhan Tianzhuo;Sahara Keita;Takeuchi Haruki;Yokogawa Ryo;Oda Kaito;Jin Zhicheng;Deng Shikang;Tomita Motohiro;Wu Yen;Xu Yibin;Matsuki Takeo;Wang Haidong;Song Mengjie;Guan Sujun;Ogura Atsushi;Watanabe Takanobu
通讯作者：
Watanabe Takanobu