Study for carrier dynamics on semiconductor with THz free electron laser
太赫兹自由电子激光半导体载流子动力学研究
基本信息
- 批准号：20K12491
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2022
- 资助国家：日本
- 起止时间：2022-01-04 至 2025-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
研究期間の中断をはさんで、今年度本研究の実施を再開した。引き続き真性半導体に対してフェムト秒レーザーで励起したキャリアのテラヘルツ領域の自由電子レーザーによるダイナミクス計測研究を実施した。特に試料としてガリウムヒ素に対しては、ピコ秒オーダーとナノ秒オーダーのテラヘルツパルスの反射と透過、吸収の測定実験を進め、シリコンやゲルマニウムに対しては、マイクロ秒オーダーの測定を実施した。これらの実験結果については、国際会議(FEL2022)にて進捗を発表した。また、ガリウムヒ素の反射特性についての論文を現在海外学術誌に投稿中である。
在研究期中断后，我们在本财年恢复了这项研究的实施。随后，我们开展了利用太赫兹区域的自由电子激光器测量本征半导体中飞秒激光激发的载流子动力学的研究。特别是，我们以砷化镓为样品，进行了皮秒和纳秒量级太赫兹脉冲的反射、透射和吸收的实验，并对硅和锗进行了微秒量级的测量。这些实验结果的进展在国际会议（FEL2022）上进行了展示。此外，一篇关于砷化镓反射特性的论文目前正在向海外学术期刊投稿。
项目成果
期刊论文数量（4）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
THz FELからの単一パルスの取り出しのためのプラズマスイッチの研究
太赫兹 FEL 单脉冲提取等离子体开关研究
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：川瀬啓悟;誉田義英;磯山悟朗
- 通讯作者：磯山悟朗
GaAs半導体表面の光励起による単一THz FELパルスの取り出し
通过 GaAs 半导体表面光激发提取单个太赫兹 FEL 脉冲
- DOI：
- 发表时间：2023
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：川瀬 啓悟
- 通讯作者：川瀬 啓悟
Detail study for the laser activating reflective switch for THz free electron laser
太赫兹自由电子激光器激光激活反射开关的详细研究
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Keigo Kawase
- 通讯作者：Keigo Kawase
THz FELからの単一パルスの取り出しのためのプラズマスイッチの研究
太赫兹 FEL 单脉冲提取等离子体开关研究
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：川瀬啓悟;誉田義英;磯山悟朗
- 通讯作者：磯山悟朗
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- DOI：
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- 影响因子：0
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磯山 悟朗
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- DOI：
- 发表时间：
2013 - 期刊：
- 影响因子：0
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磯山 悟朗
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高强度太赫兹脉冲引起的 ZnO 纳米粒子的独特发光
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
青野 信吾;永井 正也;芦田 昌明;入澤 明典;川瀬 啓悟;磯山 悟朗 - 通讯作者：
磯山 悟朗
川瀬 啓悟的其他文献
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