Exploration of new functionalities in 4f-5d electron system via invention of rare earth monoxides

通过稀土一氧化物的发明探索4f-5d电子系统的新功能

基本信息

  • 批准号:
    21H05008
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 126.46万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
  • 财政年份:
    2021
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2021-07-05 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

希土類単酸化物の薄膜合成は着々と進んだ。約40年前に多結晶が合成されたのみであるPrOのエピタキシャル薄膜を初めて合成し、キュリー温度が28 Kの弱強磁性を示す近藤格子系金属であることを論文発表した。くわえて、これまで気相のみ存在が知られていたHoOの初固相でもあるエピタキシャル薄膜を合成し、HoOが強磁性半導体で比較的高いキュリー温度(約140 K)をもつことを論文発表した。これは他のHoカルコゲナイドやニクトゲンより100 K以上も高いキュリー温度であり、その高いキュリー温度直下でそれらの化合物と似たメタ磁性の挙動が見られた。つまり、メタ磁性発現の温度もきわめて高い。また、一般に強磁性半導体にキャリアドープを行うとキュリー温度は増大するが、HoOでは逆に減少することがわかった。CeO、TbO、DyO、ErOについても薄膜合成の見込みが立っており、それらの基本的な性質を解明する予定である。副次的な結果として、同様の手法でPrの準安定相薄膜を合成できることがわかったため、物性を調べる予定である。また、NbドープSrTiO3単結晶をアニール処理することで、酸素拡散を防ぐことのできるSrO終端面を形成することができ、その上に直接、平坦な表面をもつEuOエピタキシャル薄膜を合成することが可能になった。他の希土類単酸化物も同様に合成できる可能性がある。希土類単酸化物と金属のヘテロエピタキシャル構造については、Pt/EuOは作製可能であるが、より高いキュリー温度をもつGdOを用いたPt/GdOは、GdOの化学的不安定性から良質な構造の作製ができていない。GdO薄膜の最適化が必要であるが、それにはバッファー層の利用が効果的であることがわかった。一方、各層が岩塩構造である、NdO/EuOやPrO/LaOのヘテロエピタキシャル構造の作製に成功した。前者ではEuOからの大きな磁気近接効果を、後者では強磁性と超伝導の競合を調べることが可能となった。
稀土一氧化物的薄膜合成稳步进展。他首次合成了大约40年前才以多晶形式合成的PrO外延薄膜,并发表论文表明它是近藤晶格金属,居里温度为28 K,表现出弱铁磁性。此外,他们合成了一种外延薄膜,这是HoO的第一个固相,迄今为止,HoO仅以气相存在,并发表了一篇论文,表明HoO是一种具有相对较高居里温度(大约140K)。它的居里温度比其他 Ho 硫族化物和氮元素高 100 K 以上,并且在高居里温度以下观察到与这些化合物类似的变磁行为。也就是说,发生超磁性的温度也是极高的。此外,虽然铁磁半导体中的载流子掺杂通常会提高居里温度,但在 HoO 中却发现居里温度降低。 CeO、TbO、DyO 和 ErO 也有望用于薄膜合成,我们计划阐明它们的基本性质。作为次要结果,我们发现可以使用类似的方法合成 Pr 亚稳态薄膜,并且我们计划研究其物理性质。另外,通过对Nb掺杂SrTiO 3 单晶进行退火,可以形成能够防止氧扩散的SrO终端表面,并且可以在其上直接合成具有平坦表面的EuO外延薄膜。其他稀土一氧化物也可以以类似的方式合成。对于稀土一氧化物和金属的异质外延结构,可以制备Pt/EuO,但由于GdO的化学不稳定性尚未完成,因此很难利用具有较高居里温度的GdO制备高质量的结构。有必要优化 GdO 薄膜,并且发现使用缓冲层对于此目的是有效的。另一方面,我们成功地制备了NdO/EuO和PrO/LaO异质外延结构,其中每层都具有岩盐结构。前者可以研究EuO的大磁邻近效应,而后者可以研究铁磁性和超导性之间的竞争。

项目成果

期刊论文数量(9)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
高温強磁性半導体GdOエピタキシャル薄膜の結晶性と物性の改善
高温铁磁半导体GdO外延薄膜结晶度和物理性能的改善
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Jun Okabayashi;Yoshio Miura;Kazuya Z. Suzuki;Shigemi Mizukami;深沢 崇人,岡 大地,神永健一,齋藤大地,清水宙一,福村 知昭
  • 通讯作者:
    深沢 崇人,岡 大地,神永健一,齋藤大地,清水宙一,福村 知昭
武漢理工大学(中国)
武汉理工大学(中国)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
New heavy rare earth ferromagnetic semiconductor: Rocksalt-type TbO
新型重稀土铁磁半导体:岩盐型TbO
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Sasaki;D. Oka;K. Kaminaga;D. Saito;N. Abe;H. Shimizu;T. Fukumura
  • 通讯作者:
    T. Fukumura
Rock salt-type HoO epitaxial thin film as a heavy rare-earth monoxide ferromagnetic semiconductor with a Curie temperature above 130 K
  • DOI:
    10.1063/5.0081040
  • 发表时间:
    2022-02-21
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Amrillah, Tahta;Oka, Daichi;Fukumura, Tomoteru
  • 通讯作者:
    Fukumura, Tomoteru
PrOエピタキシャル薄膜にお ける 多様な 磁性相 の制御
PrO 外延薄膜中各种磁相的控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    清水 宙一,齋藤 大地;神永 健一;岡 大地;福村 知昭
  • 通讯作者:
    福村 知昭
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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  • 通讯作者:
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  • 通讯作者:
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    0
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  • 通讯作者:
    福村 知昭
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  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    福田 慎太郎;岡 大地;福村 知昭
  • 通讯作者:
    福村 知昭
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.factor }}
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{{ showInfoDetail.title }}

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