Magnetotransport in magnetically doped topological insulators

磁掺杂拓扑绝缘体中的磁输运

• 批准号: 238199097
• 负责人: Professor Dr. Laurens W. Molenkamp
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Experimentelle Physik III
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2012-12-31 至 2019-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/238199097?language=en
• 关键词: Magnetotransport; magnetically; doped; topological; insulators

Oberflächenzustände topologischer Isolatoren (TI) werden durch eine einzigartige Spintextur charakterisiert. Der Elektronenspin ist immer senkrecht zum Impuls ausgerichtet. Diese Zustände sind geschützt durch Zeitumkehrinvarianz. Ein Brechen der Zeitumkehrinvarianz führt daher zu einer substantiellen Veränderung der Transporteigenschaften. Der in diesem Zusammenhang bemerkenswerteste Effekt ist der Quanten-Anomale Hall-Effekt. In diesem Projekt untersuchen wir den Einfluss einer magnetischen Dotierung auf die Transporteigenschaften von zwei- und drei-dimensionalen TIs. Hierzu werden Magnetotransportmessungen an Mn-dotierten HgTe Quantentrogstrukturen und verspanntem Volumenmaterial durchgeführt. Insbesondere im Fall von 2D TIs ist der Übergang vom Quanten-Spin-Hall-Zustand in den Quanten-Anomalen Hall-Effekt von grundlegendem Interesse. Letzterer repräsentiert einen spin-polarisierten widerstandsfreien Transportzustand, der bei sehr geringen Magnetfeldern auftritt und daher ein großes Potential bezüglich spintronischer Anwendungen in sich birgt.

Oberflächenzustände 拓扑隔离器 (TI) 是一种旋转结构特性。 In diesem Projekt untersuchen wir den Einfluss einer Magnetischen Dotierung auf die Transporteigenschaften von zwei- und Drei-Dimensionen TI。 von grundlegendem Interesse。