Ternäre und quasiternäre Hauptgruppen-Chalkogenide als Phasenwechsel-Materialien: Systematische Untersuchung des Einflusses der chemischen Zusammensetzung auf Struktur und physikalische Eigenschaften

作为相变材料的三元和四元主族硫属化物：系统研究化学成分对结构和物理性能的影响

基本信息

批准号：
22462856
负责人：
Professor Dr. Wolfgang Bensch
金额：
--
依托单位：
Forschungsgruppe Anorganische Festkörperchemie I
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2006
资助国家：
德国
起止时间：
2005-12-31 至 2011-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/22462856?language=en
关键词：
Tern re und quasitern Hauptgruppen

项目摘要

Viele Tellurlegierungen weisen eine bemerkenswerte Kombination zweier Eigenschaften auf. Sie verfügen über große Unterschiede der optischen und elektronischen Eigenschaften zwischen amorpher und kristalliner Phase, obwohl der Übergang zwischen beiden Phasen (Kristallisation) sehr schnell abläuft. Obwohl diese seltene Eigenschaftskombination in sogenannten Phasenwechselmedien bereits zur optischen Datenspeicherung kommerziell genutzt wird (CD-RW, DVD-RW) und die Materialien als nichtflüchtige elektronische Speicher (PRAM, OUM) derzeit in vielen Industrielabors erprobt werden, findet die Materialoptimierung noch immer empirisch statt. Ziel dieses Projektes ist ein atomistisches Verständnis des Zusammenhanges zwischen Stöchiometrie, Struktur und den optisch-elektronischen Eigenschaften der amorphen und kristallinen Phase für mehrelementige Tellurlegierungen. Wir erwarten, dass es in Abhängigkeit von der Stöchiometrie nur sechs verschiedene Strukturen für die ternären und quaternären Tellurlegierungen geben sollte, und wollen die Stöchiometriegrenzen für die einzelnen Strukturen bestimmen. Diese Untersuchungen sollen durch Dichtefunktionalrechnungen zur Kristallstruktur ergänzt werden, die die Phasengrenzen erklären sollen. Begleitende Untersuchungen der physikalischen Eigenschaften der Tellurlegierungen sollen es erlauben, atomistische Designregeln zur Herstellung von besonders gut geeigneten Phasenwechselmaterialien aufzustellen.

Viele Tellurgierungen eine bemerkenswerte zweier eigenschaften auf。 sogenannten phasenanthselmedien bereits zur optischen datenspeicherung kommerziell genutzt wird（cd-- RW, DVD-RW) UND DIE Materialien Als Nichtflüchtige Electronische Speicher (Pram, OUM) ABORS ERPROBT WERDEN, Findet Die Materialoptimierung NOCH IMPIRISCH STATT. Enhanges Zwischen Stöchiometrie , Struktur und Den Optischen EigenSchaften Der Amorphen UND Kristalllinen Phase Für Mehrelementige Tellurleungen. N, DASS ES in abhängigkeit von der STECHIOMETRIE NUR SECHS STRUKTUREN Für Die Ternären und QUATERNäREGIRENGEN GEBEN UND WOLLEN DIECHIOMETRIGRENZEN FUR DIELNENEN STRUKTUREN BESTIMMEN. Diese UntERSUCHUNGEN SOLLEN DICHTEFUNKTECHNUNGEN ZUR KRISTALLSTRUKTUR Ergänzt Werden, Die Die Die Die Die Die Die Phasengrenzen Erklären SOLLEN SOLLEN SOLLEN. EgleiteNDE UNTERSCHUNGEN DER PHYSIKALISCHEN DER Tellurlegierungen Sollen Sollen Sollauben ng Von besonds Geeigneten phasenwechselmaterialialien aufzustellen。