Device-Level Intrinsic Linearity Optimization of GaN Power FETs BAsed on Volterra Series Technique for Highly Linear RF Power Amplifier Design

基于 Volterra 系列技术的 GaN 功率 FET 器件级固有线性度优化，用于高线性射频功率放大器设计

• 批准号: 191581708
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Axel Bangert
• 金额: --
• 依托单位: Fachgebiet Mikrowellentechnik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2010-12-31 至 2013-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/191581708?language=en
• 关键词: Device; Level; Intrinsic; Linearity; Optimization

Die intensive Verwendung von komplexen Mobilfunksignalen bedeutet für den Designer von hochlinearen Leistungsverstärkern für Basisstationen noch immer eine große Herausforderung. Man verlässt sich letztlich auf aufwendige externe Linearisierungstechniken, um die 3G Spezifikationen zu erfüllen. Es ist daher von großer Bedeutung, die Linearität des Verstärkers, insbesondere die des verwendeten Transistors, zu verbessern. Auf der Grundlage der Volterrareihen-Technik sollen die wesentlichen physikalischen Quellen für Intermodulationsverzerrungen in AlGaN/GaN HEMTs ausfindig gemacht werden. Es soll ein neues Werkzeug zur Optimierung der Linearität auf Bauelement-Ebene entwickelt werden. Die klassische Volterrareihen-Methode soll dahingehend erweitert werden, dass die Intermodulationseigenschaften unter Großsignalanregung analysiert werden können. Das neue Großsignal-IMD-Bauelementmodell wird für den Bauelement-Technologen eine Hilfe sein, die Technologieparameter zu analysieren und so zu verändern, dass eine verbesserte Linearität des Bauelements erreicht wird.

3G 规范AlGaN/GaN HEMT韦尔登澳大利亚寻找工程师协会。科南。