Elektrostatisch dotierte, laterale Source/Drain Kontakte in Nanodraht Tunnel Feld-Effekt Transistoren

纳米线隧道场效应晶体管中的静电掺杂横向源极/漏极接触

基本信息

批准号：
183625203
负责人：
Professor Dr. Joachim Knoch
金额：
--
依托单位：
Institut für Halbleitertechnik (IHT)
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2010
资助国家：
德国
起止时间：
2009-12-31 至 2014-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/183625203?language=en
关键词：
Elektrostatisch dotierte laterale Source Drain

项目摘要

Band-zu-Band Tunnel Feld-Effekt-Transistoren (TFETs) werden zurzeit weltweit sehr intensiv untersucht, da ihre Funktionsweise es potentiell erlaubt, Bauelemente mit deutlich verbessertem Schaltverhalten im Vergleich zu herkömmlichen FETs herzustellen. Zwar sind bisher schon Tunnel FETs demonstriert worden, deren Leistungsfähigkeit aber ist signifikant schlechter als die herkömmlicher Bauelemente.Die Strommodulation in Tunnel FETs wird durch Gate-kontrolliertes Band-zu-Band- Tunneln erreicht, was zu einem exponentiellen Schaltverhalten unabhängig von der Temperatur führt. Um eine hohe Leistungsfähigkeit von Tunnel FETs zu erreichen, muss zum einen eine sehr gute elektrostatische Gate-Kontrolle über den Kanalbereich gewährleistet sein. Andererseits soll das Gate keinen Einfluss auf den Source-Kontakt ausüben, da dies zu einer Verschlechterung des Band-zu-Band-Tunnelns führt. Eine gute Elektrostatik kann z.B. in einem Nanodrahttransistor mit “gate-all-around” erreicht werden, also einer koaxial um den Draht befindlichen Gate-Elektrode. Um allerdings den Einfluss des Gates auf den Source-Kontakt effektiv zu unterdrücken, wird ein dotierter Kontakt mit extrem abruptem Dotierprofil und hoher Ladungsträgerkonzentration im Nanodraht benötigt. Wie weiter unten im Detail erläutert, ist eine hohe Ladungsträgerkonzentration in einer Nanostruktur auf Grund von zunehmender Deaktivierung der Dotierstoffe mit abnehmenden Dimensionen der Nanostruktur schwierig zu erreichen. Zusätzlich ist eine hohe Ladungsträgerdichte auch noch kontraproduktiv und führt zu einem Schaltverhalten, das sich bestenfalls dem eines herkömmlichen Transistors angleicht.Aus diesem Grund ist es besonders wichtig, den Einfluss der Kontakte auf die Leistungsfähigkeit von Tunnel FETs zu untersuchen. Im hier vorgestellten Projekt sollen laterale, metallische Kontakte hergestellt und untersucht werden, die sich wie dotierte Kontakte verhalten, aber die widersprüchlichen Anforderungen an die Source/Drain Elektroden erfüllen. Ziel des Projektes ist es schließlich, einen Nanodraht Tunnel FET in Silizium herzustellen, der eine signifikante Steigerung des “state-of-the-art” darstellt.

BAND-ZU-BAND TUNNEL FELD-EFFEKT-TRANSISTOREN (TFETS) WERDEN ZURZEIT WELTWEIT SEHR INTENSIV UNTERSUCHT AUBT, Bauelemente Mit Deutlich Verbessertem IM VERGLEICH ZU HERKömmlichen fets Herzustellen. ONSTRIERT WORDEN, Deren Leistungsfähigkeit Aber Ist Signifikant ALS HERKömmlicher Bauelemente.die Strommodulation in Tunnel Fets Wird Durch es Band-Zu band-tunneln erreicht t von tunnel fets zu erreichen，zum zum eine eine sehr gute elektrostische gate-kontrolle gate-kontrolleüberden kanalbereistet sein tunnelnsführt。 Wie Weiten IM详细介绍Erläutert，eine hohe hohe hoheladungsträgongonzitationin nanostruktur auf grund von zunehmender ktivierung dotierstoffe mit abnehmenden dimensigen der nanostruktur schwierig zu kontrapraprapraprapraprapraprapraprapraprapraprapraprapraprapraprapraprapraprapraprapraprapraprapraprapraptr。 Falls dem eines herkesistors angleicht.aus diesem grund ist esders wichtig， Den EinFLUSS DER KONTAKTE AUFHIG KEIT VON TUNNEL FETS ZU UNTERSUCHEN. Im Hier Vorgestellten Projekt Sollen Laterale SICH WIE DOTIERTE KONTAKTE VERHALTEN, Aber Die Widersprüchlichen Anforderungen An Die Source/Drain Elektroden Erfürlen. ILIZIUM HERZUSTELLEN, Der Eine Signifikante Steigerung Des "State-of-the -Art“ Darstellt。