Multiskalenmodellierung zum Verständnis der Facettierung und des orientierungsabhängigen Wachstums von Aluminiumnitirid-Volumenkristallen aus der Gasphase
多尺度建模以了解气相氮化铝块状晶体的刻面和方向相关生长
基本信息
- 批准号:175289588
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Grants
- 财政年份:2010
- 资助国家:德国
- 起止时间:2009-12-31 至 2012-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Ziel des Projekts ist es, ein tiefgreifendes Verständnis für die Wachstumsvorgänge bei der Züchtung von Volumenkristallen aus der Gasphase (Sublimation-Rekondensation) zu entwickeln. Dies ist insbesondere für die neuartigen Halbleiter-Einkristalle mit großer Bandlücke wie AlN und SiC von Interesse, die ein großes wirtschaftliches Potential besitzen, deren Wachstumsmechanismen aber bislang nur unzureichend erforscht sind. Im Vordergrund des Forschungsvorhabens stehen die atomistischen Vorgänge an der Oberfläche während des Kristallwachstums, deren Abhängigkeit von der Kristallanisotropie und der Züchtungstemperatur, und die sich daraus ergebende Evolution des makroskopischer Kristallhabitus und die Aufrauung bzw. Facettierung der Oberfläche. Diese bestimmen wesentliche Kristalleigenschaften wie z.B. die Konzentration von Defekten im Kristall. Die dabei wirksamen Wachstumsmechanismen sollen durch die Entwicklung von Methoden zu Multiskalenmodellierung mit der Rückkopplung aus Ergebnissen von Kristallzüchtungsexperimenten erarbeitet werden. In der Modellierung des kinetisch limitierten Wachstums aus mehreren Komponenten in der Gasphase wird hierzu eine Kontinuums- Betrachtung des Wärme- und Stofftransports bei der Gasphasenzüchtung mit einem Phasenfeldmodell verknüpft, bei dem die Eingangsparameter von experimentellen Daten, ab-initio-Rechnungen und kinetischen Monte-Carlo-Simulationen abgeleitet werden können. Aus den Simulationen zum Wachstum von AlN werden u.a. die kinetische Wulff-Figur sowie ein Modell zur Vorhersage der Oberflächenmorphologie analog zum Jackson-Modell in der Schmelzzüchtung erarbeitet. Die Mehrkomponenten-Multiskalenmodellierung bildet darüber hinaus eine Grundlage für verlässliche Voraussagen in der Gasphasenzüchtung verwandter Materialsysteme wie z.B. SiC.
Ziel des PROJEKTS IST ES, EIN TIEFGREIFENDES Für Die Wachstumsvorgänge BEI Der Züchtung von Volumenkristallen AUS DER GASPHASE Limation-rekondensation) Zu ethwickeln. ERESSE, Die Ein Großes WirtsChaftliches Potential Basitzen, Deren WachstumsMECHANISMEN Aber Bislang Nur Unzureichend Erforscht Sind. Habens Stehen DIENGE AN DER Oberfläche Wenghrend des Kristallwachstums,DerenAbhängigkeitvon derZüchtungstemperatur,und die Sich daraus ergebende Evolution des Makroskopischer kristallhabitus unde im i i wirksamen wachstumsmechanismen zu方法。 Etischen Monte-Carlo- Simulatiten Abgenn En。 e in dergasphasenzüchtungverwandter物质系统wie Z.B.
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Preparation of Bulk AlN Seeds by Spontaneous Nucleation of Freestanding Crystals
- DOI:10.7567/jjap.52.08ja06
- 发表时间:2013-08-01
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:Hartmann, Carsten;Wollweber, Juergen;Bickermann, Matthias
- 通讯作者:Bickermann, Matthias
Faceting in AlN bulk crystal growth and its impact on optical properties of the crystals
- DOI:10.1002/pssc.201100345
- 发表时间:2012-01-01
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Bickermann, Matthias;Epelbaum, Boris M.;Winnacker, Albrecht
- 通讯作者:Winnacker, Albrecht
A study of the step-flow growth of the PVT-grown AlN crystals by a multi-scale modeling method
- DOI:10.1039/c4ce00175c
- 发表时间:2014-07
- 期刊:
- 影响因子:3.1
- 作者:Wei Guo;J. Kundin;M. Bickermann;H. Emmerich
- 通讯作者:Wei Guo;J. Kundin;M. Bickermann;H. Emmerich
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Professor Dr.-Ing. Matthias Bickermann其他文献
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