Experimental Studies of Thin Film Magnetism
薄膜磁性的实验研究
基本信息
- 批准号:9623494
- 负责人:
- 金额:$ 29.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:美国
- 项目类别:Continuing Grant
- 财政年份:1996
- 资助国家:美国
- 起止时间:1996-09-15 至 2001-02-28
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
w:\awards\awards96\*.doc 9623494 Erskine This project investigates the electronic and magnetic properties of thin film structures, surfaces, and interfaces using recent progress in materials synthesis, advanced structure determination methods, and magnetically-sensitive spectroscopic and microscopic techniques. The principle scientific objectives are to explore the relationship between structure and magnetism on several length scales and to probe magnetic phenomenon in artificially-stabilized phases of ultra-thin films, interfaces, and nanostructures. The experiments address issues of current theoretical interest including the notion of 2-dimensional scaling universality classes and related scaling parameters. It is relevant to recent initiatives aimed at a broader commercialization of Magneto-resistance Random Access Memory (MRAM) technology %%% The fundamental understanding of the electronic and magnetic properties of thin film structures, surfaces, and interfaces is of current interest due to the recent initiatives aimed at a broader commercialization of Magneto-resistance Random Access Memory (MRAM) technology. The project addresses issues of current theoretical interest and exploits new advances in materials synthesis, novel structural determination methods, and state-of- the-art magnetically sensitive techniques to probe magnetic phenomena and phase transitions in artificially produced structures. The program is aimed at making major contributions to the local scientific/ technological infrastructure and to the Center for Advanced Microstructures (CAMD) at Baton Rouge, Louisiana. ***
w:\awards\awards96\*.doc 9623494 Erskine 该项目利用材料合成、先进结构测定方法以及磁敏光谱和显微技术的最新进展,研究薄膜结构、表面和界面的电子和磁性特性。主要科学目标是探索多个长度尺度上的结构与磁性之间的关系,并探测超薄膜、界面和纳米结构的人工稳定相中的磁性现象。这些实验解决了当前理论感兴趣的问题,包括二维缩放普遍性类别和相关缩放参数的概念。 它与最近旨在更广泛地实现磁阻随机存取存储器 (MRAM) 技术商业化的举措相关 %%% 对薄膜结构、表面和界面的电子和磁性特性的基本了解目前引起人们的兴趣,因为最近的举措旨在更广泛地实现磁阻随机存取存储器(MRAM)技术的商业化。该项目解决了当前理论感兴趣的问题,并利用材料合成的新进展、新颖的结构测定方法和最先进的磁敏技术来探测人工产生的结构中的磁性现象和相变。该计划旨在为当地科学/技术基础设施和路易斯安那州巴吞鲁日的先进微结构中心 (CAMD) 做出重大贡献。 ***
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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