Resonant Tunneling and Hot Electron Spectroscopy in Buried Rare-Earth Arsenide/Semiconductor Heterostructures

埋藏稀土砷化物/半导体异质结构中的共振隧道和热电子能谱

基本信息

  • 批准号:
    9301222
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 18.95万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Continuing Grant
  • 财政年份:
    1993
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    1993-09-01 至 1997-08-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

9301222 Allen Epitaxial semi-metal/semiconductor heterostructures have the potential to add new dimensions to semiconductor electronics by providing buried interconnects or ground planes or enabling control of quantum transport in resonant tunneling structures and hot electron transistors. Using the unique properties of the Rare-earth monarsenide/GaAs system we propose investigating quantum transport through ultra-thin buried semi-metal layers in compound semiconductors in "transistor like" test structures. The P.I. propose to i) determine the role of quantum confinement in semi-metal quantum wells, ii) measure electron transmission, reflection and loss in semi-metal quantum wells and iii) assess the potential of this material system for resonant tunneling and hot electron transistors. ***
9301222 Allen 外延半金属/半导体异质结构有潜力通过提供掩埋互连或接地平面或实现对谐振隧道结构和热电子晶体管中的量子传输的控制来为半导体电子器件增加新的尺寸。 利用稀土单砷化物/砷化镓系统的独特性质,我们建议研究“类晶体管”测试结构中化合物半导体中超薄埋半金属层的量子传输。 P.I.建议 i) 确定量子限制在半金属量子阱中的作用,ii) 测量半金属量子阱中的电子传输、反射和损耗,以及 iii) 评估该材料系统用于谐振隧道和热电子晶体管的潜力。 ***

项目成果

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