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Lattice relaxation in semipolar (1-101) InGaN/GaN on silicon substrates Lattice relaxation in semipolar (1-101) InGaN/GaN on silicon substrates
Lattice relaxation in semipolar (1-101) InGaN/GaN on silicon substrates
Lattice relaxation in semipolar (1-101) InGaN/GaN on silicon substrates硅衬底上半极性 (1-101) InGaN/GaN 的晶格弛豫
基本信息
DOI：
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--发表时间：
2011
2011期刊：
影响因子：
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--通讯作者：
H.Amano
H.Amano中科院分区：
文献类型：
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-- 作者： T.Tanikawa;S.Sakakura;Y.Honda;M.Yamaguchi;H.Amano
研究方向： --
MeSH主题词： --
关键词： --
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文献摘要
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数据更新时间：2024-06-01
关联基金
加工Si基板上への非極性面GaNの選択MOVPE成長に関する研究
批准号：
10J08362
10J08362批准年份：
2010
2010资助金额：
0.9
0.9项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Grant-in-Aid for JSPS Fellows