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MBE法によるGe_1-_xCr_xTeの成長と磁気特性 MBE法によるGe_1-_xCr_xTeの成長と磁気特性
MBE法によるGe_1-_xCr_xTeの成長と磁気特性
MBE法によるGe_1-_xCr_xTeの成長と磁気特性MBE法制备Ge_1-_xCr_xTe的生长及磁性能
基本信息
DOI：
--
--发表时间：
2006
2006期刊：
影响因子：
--
--通讯作者：
小柳 剛
小柳 剛中科院分区：
文献类型：
--
-- 作者： M.;Nakasuka;S.;Masukawa;S.;Iida;小柳 剛
研究方向： --
MeSH主题词： --
关键词： --
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文献摘要
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参考文献（13）
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Epitaxial growth of the Heusler alloy Co2Cr1-xFexAl
Epitaxial growth of the Heusler alloy Co2Cr1-xFexAlHeusler 合金 Co2Cr1-xFexAl 的外延生长
Heusler 合金 Co2Cr1-xFexAl 的外延生长Atomic disorder effects on half-metallicity of the full-Heusler alloys Co2(Cr1-xFex)Al:: A first-principles study -: art. no. 144413
Atomic disorder effects on half-metallicity of the full-Heusler alloys Co2(Cr1-xFex)Al:: A first-principles study -: art. no. 144413DOI：
10.1103/physrevb.69.144413
10.1103/physrevb.69.144413发表时间：
2004-04-01
2004-04-01影响因子：
3.7
3.7作者：
Miura, Y;Nagao, K;Shirai, M
Miura, Y;Nagao, K;Shirai, M通讯作者：
Shirai, M
Shirai, MLarge tunneling magnetoresistance at room temperature using a Heusler alloy with the B2 structure
Large tunneling magnetoresistance at room temperature using a Heusler alloy with the B2 structureDOI：
10.1143/jjap.42.l419
10.1143/jjap.42.l419发表时间：
2003-04-15
2003-04-15影响因子：
0
0作者：
Inomata, K;Okamura, S;Tezuka, N
Inomata, K;Okamura, S;Tezuka, N通讯作者：
Tezuka, N
Tezuka, N共 3 条
- 1
关联基金
Study on spin device characteristic having p-n-p structure using GeTe based ferromagnetic semiconductors
批准号：
18560306
18560306批准年份：
2006
2006资助金额：
2.44
2.44项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)