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Experimental demonstration of n-/p-TFET operations in a single ZnSnO/SiGe bilayer structure Experimental demonstration of n-/p-TFET operations in a single ZnSnO/SiGe bilayer structure
Experimental demonstration of n-/p-TFET operations in a single ZnSnO/SiGe bilayer structure
Experimental demonstration of n-/p-TFET operations in a single ZnSnO/SiGe bilayer structure单个 ZnSnO/SiGe 双层结构中 n-/p-TFET 操作的实验演示
基本信息
DOI：
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--发表时间：
2019
2019期刊：
影响因子：
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--通讯作者：
高木 信一
高木 信一中科院分区：
文献类型：
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-- 作者： 加藤 公彦;Jo Kwangwon;松井 裕章;田畑 仁;森 貴洋;森田 行則;松川 貴;竹中 充;高木 信一
研究方向： --
MeSH主题词： --
关键词： --
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数据更新时间：2024-06-01
